§8.5电容器陶瓷.pptVIP

§9.4 电容器陶瓷 电容器陶瓷（ceramic for capacitor） ——指主要用于制造电容器介质的陶瓷，具有介电常数高、介质损耗小等特点； 使用的材料：金红石和各种钛酸盐、锆酸盐、锡酸盐等 ； 目前，陶瓷电容器已成为产量最大、电容量覆盖范围最广、最主要的一大类电容器。 一、分类（四大类） 非铁电陶瓷：非极性的线性介质，P∝E外，ε不太高，在101～102量级；高频损耗小，ε～T呈线性关系；其温度稳定性和频率稳定性好，又称为热补偿电容器陶瓷或高频电容器陶瓷； 铁电陶瓷：一般不含Fe, 极性的非线性介质，存在铁电畴，电滞迴线、居里点等，它的主要性能是介电常数很高(103～104量级)且呈非线性，亦称为强介电常数电容器陶瓷； 反铁电陶瓷：在转变温度下，邻近晶胞沿反向平行方向自发极化，P~E呈双电滞迴线，存在反铁电居里点； 半导体陶瓷：利用半导电的陶瓷在晶粒界面或电极界面上所形成的阻挡层，其等效介电常数非常高(104～105量级)。 二、非铁电电容器陶瓷 包括以TiO2、RTiO3、 RZrO3、 RSnO3、 RNbO3 为基的体系 1.金红石 （1）结构、特点 晶系 ? ? 热稳定性 金红石 四方 4.21 114 Tm时热力学稳定 TiO2（?高） 板钛矿 斜方 4.11 78 加热 锐钛矿 四方 3.87 48 可见， ?与晶格的排列紧密程度有关， ? 大， ?亦大； 纯TiO2： 在氧气中：Tm=1870℃ 在空气中：Tm=1830℃， Ti4+ 还原? Ti3+ ，放出氧； ∴化学式为： TiO1.996，呈深蓝色，还原后的TiO2具有n型半导体的性质。 （2）制备工艺 天然很少见，人工合成。配方很多，但基本相似，所有的配方中都含有二氧化钛，而且是以TiO2为主，烧结陶瓷中的主晶相是金红石。 书p249, Tabel 9.11给出了几种配方，需要时可查阅。 为获得电气性能优良的金红石瓷，制备中应注意以下问题： A. 准确配方，TiO2生料＋预烧料按比例配合使用， B.防止SiO2杂质混入，选用刚玉磨球和内衬； ∵ SiO2会使陶瓷的?↘↘，如图9.4.1所示； C.烧成温度： 1325土10℃ D.氧化气氛：防止Ti4+ 还原? Ti3+ E.快速冷却，防止金红石再结晶，使瓷件晶粒细而致密，从而可提高瓷件的热稳定性和频率稳定性以及介电强度。 总之 ，准确的配方和合理的工艺路线对金红石瓷产品的质量有很大影响，应在实践中不断探索，寻求最佳方案。 （3）性能 A.老化问题 金红石瓷和其他含钛陶瓷在高温和直流电场的长期作用下，介电性能会恶化，电导随时间急剧增加，甚至发生热击穿，产品的颜色会逐渐由鲜黄色变成灰黑色，这种现象称为老化现象。 B.再生性 如果在击穿前除去直流电场，并停留在原老化温度下若干时间，则样品的电阻会提高到起始值，颜色也会恢复到鲜黄色，这种性能恢复的现象称为再生。 C. 在交流电场下含钛陶瓷不会老化 金红石瓷介电常数与频率、温度的关系见图9.4.2 金红瓷的主要性能见P250 Tabel 9.12。 2. 以钛酸盐为基的非铁电陶瓷 包括CaTiO3、MgTiO3、 SrTiO3陶瓷，是我国正在生产的一类比较重要陶瓷。 以钛酸镁陶瓷的生产工艺和有关性能为例加以介绍。 正钛酸镁 2MgO·TiO2 TiO2+MgO 偏钛酸镁 MgO·TiO2 二钛酸镁 MgO·2TiO2 系统相图如图9.4.3所示 图9.4.3 MgO—TiO2系统相图 助熔剂有两类： (1) 在高温下变成液相的助熔剂。例如MgCl2、BaCl2、PbO、 Bi2O3、H2BO3等，这类助熔剂会导致烧成范围变窄，因此很少使用； (2) 能与配方中其他组分形成低共熔物的助熔剂，如ZnO、CaF2、滑石等，这类助熔剂能有效地改善烧结性能； 为了防止TiO2还原，可以加入少量MnCO3。 电容器陶瓷是结晶态陶瓷，主晶相含量很高。因此可通过掺杂改性提高材料的物理性能和工艺性能，形成很复杂的化