先进薄膜材料与元件实验室.docVIP

柯文政教授-先進博膜材料與元件實驗室 先進薄膜材料與元件實驗室致力於開發新穎之材料製程技術，並運用於光電半導體元件實作上。目前實驗室已開發完成之材料製程技術包含：(1)微/奈米混成式圖案藍寶石基板製程技術、(2)濺鍍系統成長氮氧化銦奈米粒製程技術、(3)石墨烯透明導電電極製程技術。上述製程技術已陸續成功運用於太陽能電池、發光二極體等光電半導體元件，有效提升元件性能。 微/奈米混成式圖案藍寶石基板製程技術 ※研究計畫內容：本計劃在目前業界使用之微米尺度圖案藍寶石基板(直徑/間距/高度=2.6/0.2/1.6 μm)上，利用陽極氧化鋁(AAO)遮罩技術製備微/奈米尺度複合圖案藍寶石基板，藉由高漫射率圖案結構，增加LED光萃取效率；並利用GaN薄膜在奈米孔洞圖案上成長具側向磊晶成長特性，期待降低LED結構中差排缺陷密度。 ※目前研究成果：現階段研究中我們已成功在直徑/間距/高度=2.6/0.5/1.6 μm圖案基板上製備奈米孔洞圖案，並完成LED性能驗證，LED成長於磷酸AAO製備之微/奈米尺度複合圖案藍寶石基板(孔洞圖案直徑/深度約150/100 nm)，LED晶粒放於Ag-TO封膠後，。 更進一步，我們在目前業界最高亮度LED使用之PSS(圖案間距縮小至0.2 μm)上嘗試製備奈米孔洞圖案。經過許多挫敗後，在2014年12月中，我們已找出AAO遮罩、ICPRIE蝕刻參數，如圖1所示，成功製備出微/奈米尺度複合圖案藍寶石基板。後續光譜漫射率量測、GaN薄膜成長與特性量測、LED磊晶性能驗證均已持續進行中。期待能為國內LED產業注入新的技術。 圖1 (a)圖案間距0.2 μm PSS上製備AAO遮罩層，完成微/奈米尺度複合圖案藍寶石基板SEM(b)俯視、(c)側視圖。 濺鍍系統成長氮氧化銦奈米粒製程技術 ※研究計畫內容：傳統上成長奈米晶粒技術中最常使用的Stranski-Krastanow（S-K）成長方法，必須是在緩衝層與磊晶薄膜間晶格不匹配度大於2%以上之前提下，利用磊晶薄膜成長達到臨界厚度tc時，累積足夠的應變能量γstrain(tc)，在滿足S-K模式成長奈米粒之條件下，即緩衝層表面能(γbuffer)＜磊晶薄膜表面能(γepi) + 緩衝層與磊晶薄膜間界面表面能(γinterface) + γstrain(tc)，使磊晶薄膜從二維平鋪成長改變為三維島狀奈米粒成長。此種成長方法已經被廣泛地運用於晶格不匹配度約5~7%之III-V或II-VI族化合物半導體如InAs/GaAs、ZnTe/ZnSe等材料系統上之奈米粒製作。※目前研究成果：如圖所示，我們先在藍寶石基板上成長InON奈米粒，成長溫度在500度，以成長200 nm厚度之InON薄膜計算鍍率約為0.88 ?/sec。如圖16(b)所示，成長56秒後，薄膜厚度應為4.9 nm，AFM影像圖顯示表面相當平整；增加成長時間至5分鐘，膜厚約26.4 nm，InON表面呈現高密度島狀物(高/直徑=3/40 nm)。進一步使用基板表面前處理技術，處理時間為5秒，如圖(a)所示，基板表面隱約可看到許多小白色斑點；如圖(b)在長30秒後(薄膜厚度約2.6nm)，表面即出現奈米粒結構，密度2.8×1010 cm-2、高度/直徑=6.9/46.2 nm；如圖(c)當成長時間增加至56秒(薄膜厚度約4.9 nm)，奈米粒密度2.6×1010 cm-2、高度/直徑=7.2/52.8 nm；如圖(d)當成長時間增加至5分鐘(薄膜厚度約26.4 nm)，奈米粒密度4.3×1010 cm-2、高度/直徑=5.5/53.8 nm。 使用射頻磁控濺鍍系統成長博膜，一般認為以kinetic機制主導。基板表面端的成長狀態幾乎決定了接下來薄膜的成長結果。上述關於InON奈米粒研究成果亦顯示，改變基板端狀態條件，可以獲得高密度的InON奈米粒。而成長相關機制研究探討，可能原因包含：基板表面能改變，致使沾濕層厚度下降，在較薄厚度下即可累積足夠應力，形成奈米粒結構；亦或，基板表面前處理後，將影響到基板表面成核狀態，造成某些區域InON無法成核成長，這項推論在圖(b)(c)中，InON奈米粒密度幾乎維持不變可獲得證實。後續相關InON成長機制研究討論，亦將是板研究計畫重點。 圖所示，利用基板表面前處理技術，已可以在p-GaN薄膜上成長InON奈米粒。InON奈米粒高度/直徑=~24 /110nm，密度約~7×108 cm-2。經由XRD分析結果顯示，主要(222)In2O3與(100)InN混 晶結構。 圖 sapphire表面成長InON奈米粒AFM影像圖，(a)sapphire，成長InON時間(b)56秒(c)5分鐘。 圖 sapphire