离子镀膜技术概述.docxVIP

镀膜技术一、多弧离子镀多弧离子镀技术是采用阴极蒸发源的一种离子镀技术。阴极电弧蒸发源可以是Ti、Al、Zr、Cr等单相靶材也可以是由它们组成的多相靶材。多弧离子镀应用面广，实用性强，除了具有其他各种离子镀方法的广泛用途之外，特别是在高速钢刀具镀覆TiN涂层的应用方面发展的最为迅速，并进入了工业化阶段。1.1多弧离子镀的基本结构与沉积原理多弧离子镀的基本组成包括真空镀膜室、阴极弧源、基片、负偏压电源、真空系统等，如图1.1所示。阴极弧源是多弧离子镀的核心，它所产生的金属等离子体自动维持阴极和镀膜室之间的弧光放电。多弧离子镀的工件原理主要是基于冷阴极真空弧光放电理论，按照这种理论，电量的迁移主要借助于场电子发射和正离子电流，这两种机制同时存在, 而且互相制约。在放电过程中, 阴极材料大量蒸发产生等离子体, 这些等离子体所产生的正离子在阴极表面附近很短的距离内产生极强的电场, 约为108V/cm2。在这种强电场作用下, 电子能直接从金属的费米能级逸出到真空, 产生所谓“场电子发射”，发射电流可达到5×107A/cm2，从而产生新的等离子体。上述过程的进行维持电弧持续工作。一般阴极靶本身既是蒸发源又是离化源。外加磁场可以改变阴极弧斑在阴极靶面的移动速度，并使弧斑均匀、细化，以达到阴极靶面的均匀烧蚀，延长靶的使用寿命。图1.1 多弧离子镀结构示意图1—阴极弧源（靶材）2、3—进气口4—真空系