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典型芯片HM6264BL HM6264BL是容量为8K*8的低功耗CMOS SRAM。采用单一+5V供电，输入/输出电平与TTL电平兼容。最大存取时间为70ns~120ns。 引脚及其含义： HM6264BL的工作模式 HM6264BL读/写周期时序（以读取时间70ns的HM6264BL为例） （1）存储器的读周期 (2)储器写周期 5.2.2、动态随机存储器DRAM 特点： DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（称为动态刷新），所以动态RAM需要设置刷新电路，相应外围电路就较为复杂。 刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒 DRAM的特点是集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。 DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条（主存）、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。 常见DRAM的种类： SDRAM（Synchronous DRAM）——它在1个CPU时钟周期内可完成数据的访问和刷新，即可与CPU的时钟同步工作。是1999年前微机中流行的标准内存类型。 RDRAM（Rambus DRAM）——是由Rambus公司所开发的高速DRAM。其最大数据率可达1.6GB/s。 DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）