第8章功率放大电路.ppt

第8章 功率放大电路 8.2.2 分析计算 例题 (3) 没有BJT管的少子存贮问题，加之极间电容小， 所以开关速度快，适合高频工作(工作频率达 几百kHz甚至于几MHz)。在VMOS基础上加以改 进，前又出现了双扩散MOS管(简称DMOS)。此 类管子在承受高电压、大电流，速度快等性能 方面又有不少提高。 与BJT管比较，VMOS具有许多优点： (1) 输入阻抗大，所需驱动电流小，功率增益高。 (2) 温度稳定性好，漏极电阻为正温度系数，当器 件温度上升时，电流受到限制，不可能产生热 击穿，也不可能产生二次击穿。 8.4.3 绝缘栅—双极型功率管(IGBT) 及功率模块 一、IGBT的等效电路及符号 IGBT具有许多优点，但工作频率不太高， 一般小于50kHz左右。 它综合了MOS管输入阻抗大、驱动电流小和 双极型管导通电阻小、高电压、大电流的优点。 当MOS管栅压大于开启电压后，出现漏极电流。 该电流就是双极型晶体管的基极电流，从而使BJT 管导通，且趋向饱和(管压降很低，电位很大)。 当MOS管栅压减小使沟道消失时，ID=0，IB=0, 管子截止。 二、功率模块 功率模块有许多，有达林顿电路模块