第7章_致冷型红外成像器件学案.ppt

7.2.7 单片式阵列之——异质结探测元IRFPA 异质结探测元的单片式IRFPA如图7-17所示，它是将窄禁带探测器材料用异质外延的方法生长在含有多路传输器的硅衬底上。 这种方法是将硅集成电路技术和高量子效率的窄禁带半导体的优点结合在一起的一种全单片式设计。 虽然能使这种设计实现的异质外延技术目前还不太成熟，但该技术正在取得很快的进展。另外的可能性就是采用砷化镓代替硅来做衬底和高速多路传输器。 7.2.8 单片式阵列之——MIS像元IRFPA 如通常CCD成像器件一样，可以用HgCdTe或InSb这类窄禁带半导体材料来制做CCD结构形式的全单片式阵列。 当把MIS栅用作电荷转移器件(象CCD一样)时，它也存在几个基本的限制问题: 对于大多数红外成像应用来讲，要求在单位像元上有较高的电荷处理能力，而用窄禁带半导体材料制做的MIS栅由于其击穿电压较低因而限制了其电荷容量。 更严重的问题是当电荷沿窄禁带CCD转移以完成读出功能时，会产生噪声和电荷俘获。 金属—绝缘体—半导体(MIS)结构 通常，MIS探测器与光伏探测器相比，其材料要求更为苛刻。 CdTe由于其化学组分、晶格常数、晶体结构等均与HgCdTe很接近，完全耗尽的CdTe具有好的绝缘性，在HgCdTe/CdTe界面上，具有和成熟的自身氧化物膜/HgCdTe界面一样低的界面态密度、界面陷阱密度。 由于其光学常数适当而被认为是Hg