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SE电池概述
SE电池概述
所谓选择性发射极（SE—seletive emitter）晶体硅电池，即在金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可以降低扩散层复合，由此可以提高光线的短波效应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。
一、SE电池主要工艺流程（两次扩散工艺）
清洗制绒 氧化 腐蚀性浆料印刷 清洗第一次扩散去PSG 第二次扩散刻蚀去PSGPECVD→丝网印刷 烧结 测试腐蚀性浆料印刷腐蚀性浆料印刷isishape SolarEtch BRS Type20? 的腐蚀性浆料
（2）网版
网版厂家：村上精密制版（昆山），张力28±2N，纱厚60±2μm，膜厚25±1μm。
（3）印刷条件
印刷条件与正常的BACCINI印刷参数类似。
丝网间距1.1mm，印刷速度100/300mm/s，印刷压力59/5N，刮胶硬度65。
（4）印刷湿重
腐蚀性浆料湿重控制在0.4-0.7g。
4、清洗工艺
腐蚀性浆料第一次扩散第一次扩散第二次扩散第次扩散
第二次扩散方块电阻控制：
两次扩散后，主栅处方块电阻控制在30-35Ω，浅掺处方块电阻控制在70-80Ω。其中，第一次扩散后，根据主栅处方块电阻以及浅掺处方块电阻情况，进行温度调整，使第二次扩散后，最终的主栅处方块电阻控制在30-35Ω，浅掺处方块电阻控制在70-80Ω。
8、刻蚀去PSG刻蚀去PSGPECVD
PECVD工艺与正产生产工艺相同。膜厚与折射率控制与正产工艺相同，膜厚：80－85nm；折射率：2.14－2.17。
10、丝网印刷
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