半导体芯片电路线宽显微测量精度分析-Read.doc

半导体芯片电路线宽显微测量精度分析 余厚云 邓善熙 摘要：在显微图像的尺寸测量中，由于各种因素的影响，测量结果不可避免地存在着误差。为了充分认识并进而减小这些误差，提高测量精度，文章对标准件标定、显微光学系统的景深、对焦、光照亮度以及温度等影响测量结果的误差源作了细致的研究，给出了半导体芯片电路线宽显微测量结果及精度分析。 关键词：半导体芯片，显微测量，精度分析 Analysis of the accuracy in the measurement for semiconductor wafer Yu, Houyun Deng, Shanxi Abstract: The errors are inevitable in the micro-measurement of image because of many kinds of effects. Such effects are discussed in detail in this paper for reducing the errors and improving the precision of the measurement. Those include the calibration of the standard component, the depth of vision field, the focus and brightness of the optical system and the temperature. The accuracy of the measurement for semiconductor wafer is presented in the end. Keywords: semiconductor wafer, micro-measurement, analysis of precision 图1所示的就是本文所研究的被测对象半导体芯片的实物图。由图可见，由于被测对象特征尺寸过小，必须首先将被测对象通过显微光学系统放大到足够的倍数，再由CCD相机成像在计算机屏幕上，最后通过图像编程测量出芯片电路线宽的图像尺寸。这时的测量结果是以像素的形式给出的，要想得到其对应的实际尺寸的大小，作者采用图2所示的测微尺作为标准件对整个显微测量系统的放大倍数进行了标定。即在与实际测量相同的测量条件下测出标准件特征尺寸的像素数，而标准件特征尺寸的实际值为已知。将标准件的像素尺寸与其实际尺寸相比较，即可得出显微测量系统的放大倍数，从而达到了标定的目的。详细的测量过程见参考文献[1]和[3]。下面主要针对半导体芯片电路线宽测量结果作详细的精度分析。 一、标准件标定重复性实验 如上所述，文中对半导体芯片电路线宽的显微测量采用的是与标准件进行对比测量的方法。因此，标准件标定的精度直接影响了实际电路线宽的测量精度。 表1列出了对标准件测微尺上50(m的实际尺寸进行10次重复测量所得到的结果。因为测量列的测量次数较少，算术平均值的极限误差按t分布计算。已知，取，查表得。 算术平均值的标准差，从而算术平均值的极限误差，经过计算，可以得出对应的图像尺寸，以算术平均值及其极限误差来表示如下： 表1　测微尺标定重复测量实验结果 序号 li/pixel vi/pixel vi2/pixel2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 250.298 250 250.385 250.01 250.298 250 250.116 250 250.142 250.356 0.137 -0.161 0.224 -0.151 0.137 -0.161 -0.045 -0.161 -0.019 0.195 0.018769 0.025921 0.050176 0.022801 0.018769 0.025921 0.002025 0.025921 0.000361 0.038025 计算 结果 二、芯片电路线宽测量误差分析 1. 显微光学系统的景深 景深是指光学系统能同时清晰成像的物方空间沿光轴方向的深度范围。下面就着重讨论一下显微镜景深对测量结果的影响，如图3所示。 其中，——研究中所用显微镜的工作距离，——显微镜景深，h——被测对象尺寸，——显微镜景深引起的测量误差。 通过光学计算，得出显微镜的景深为 式中，n=1——空气的折射率，(=0.555(m——光源波长，NA=0.65——40倍平场消色差物镜的数值孔径，——CCD的分辨率，——显微系统的横向放大率。因此， 再由图3，根据相似三角形的性质可得 2. 对焦对测量结果的影响 不改变其它测量条件及被