《半导体光电子学课件》下集2.4 对注入激光器异质结材料的要求.pptVIP

§2.4 对注入激光器异质结材料的要求 一.从激光波长选择LD材料 LD须是直接带隙材料 （经验） GaAlAs: Eg大 0.65～0.9 μm InGaAsP: Eg小 1.1～1.7 μm 3. Eg的选择与计算 ① 三元化合物 1.424+1.247x x0.45 → 直接带隙跃迁 0.45x1 → 间接带隙跃迁 不能用GaAlAs产生 λ0.65μm ②四元化合物 利用弗伽定律 ③ 的要求,(要一定的禁带宽度台阶 ) 电子 空穴 GaAlAs: 80~85% 防电子泄漏效果好 InGaAsP: 30~40% 但 ↑, 不可能任意提高 重掺杂会使带隙收缩，使LD波长红移 二.从晶格匹配来考虑异质结LD材料 分析图2.4-2 ①二元化合物用点描述 InSb, InAs ②三元化合物用线描述 GaAlAs, InGaAl ③四元化合物用线包围的区域描述 ④实线表示直接带隙 ⑤波浪线表示间接带隙 ⑥ InP 横直线表示晶格匹配的材料 GaAs InGaAs / InP 1.0~1.7μm 1.0~1.1μm 实际无材料 △Ec太小，对电子基本无限制 传统的材料：0.65~0.9 1.1~1.7μm 90年代 0.4 → 2 μm 蓝 远红外 1.48μm(噪声大) 0.98 EDFA 三.由光波导效应来选择LD材料 1. 双异质结 有源层折射率高，两边限制层n低 光子限制，要求 3~7% 2. Eg与 定性关系 组分 x↑ Eg↑ x↑ ↓ ↓ Eg↑ 3. 与组分关系 ① : ② a.塞尔迈耶公式 （考虑色散） b.弗伽公式 c. 与InP匹配的InGaAsP n: 3.4~3.6 光纤 1.45~1.5 ③ 的简单测量 误差 0.2% 正入射 4. 与掺杂浓度(双异质结LD有源区不高掺杂,单异质结LD掺杂) 掺杂浓度 ↑ n↓ 5. 与载流子注入关系 载流子注入增加 n↓ 6. 与LD结温度关系 T↑ ↑ 四.衬底材料的考虑 1. 晶格匹配尽可能的晶格常数一致 尽可能的相同原子 2. 衬底尽可能少的缺陷 3. 工艺相容性 * *