光电探测与信号处理 第03章 光电导探测器.pptxVIP

数码相机NIKON5数码相机为什么能实现自动曝光？第03章 光电导探测器利用半导体光电导效应制成的器件称为光电导探测器，简称PC（Photoconductive）探测器－－又称为光敏电阻。 特点 ： ①光谱响应：紫外－－远红外 ②工作电流大，可达数毫安 ③可测强光，可测弱光 ④灵敏度高，光电导增益大于1 ⑤无极性之分第03章 光电导探测器3.1 材料结构原理3.2 主要特性参数3.4 偏置电路和应用3.1 材料结构原理3.1.1 材料及分类Ⅲ－Ⅳ、Ⅲ－V族化合物，硅、锗以及一些有机物等 本征型光敏电阻：杂质型光敏电阻：注意杂质型：1.常用N型2.极低温度下工作 杂质型光敏电阻：极低温度下工作??? 以N型为例：1.杂质原子浓度远比基质原子浓度低得多。ΔEd＝ Ec－ Ed Eg2. 常温--杂质原子束缚电子或空穴已被热激发成自由态作为暗电导率的贡献量。长波光照,已无束缚电子或束缚空穴供光激发用，即光电导Δσ为零或很微弱。EcEdΔEdEgEv3.1 材料结构原理3.1.2 光照下的光电导响应过程光电导的响应与光生载流子Δn成正比 曲线的解释： 考虑P型半导体的本征吸收3.1.2 光照下的光电导响应过程光照时：增长率 产生率 复合率 热致产生率 弱光（Δn(t) =Δp(t) n0） 初始条件：t =0，Δn(0) =0 3.1.2 光照下的光电导响应过程光照时：为载流子寿命 3.1.2.光照下的光电导响应过程光照时：增长率 产生率 复合率 热致产生率 光照停止时：3.1.2.光照下的光电导响应过程光照停止时：初始条件：t =0， 3.1.2.光照下的光电导响应过程弱光照条件下光电导响应的两个基本结论： （1）响应时间（上升时间和下降时间） 等于载流子寿命且为常数（2）稳态光电导 与产生率成线性关系，即与辐射通量成正比3.1.2.光照下的光电导响应过程阶跃光照时光电导响应：正弦光照时光电导响应：3.1.2.光照下的光电导响应过程阶跃光照时光电导响应速度光电导响应：响应时间： （时域）正弦光照时光电导响应：上限截止频率： （频域） 3.1.2.光照下的光电导响应过程强光照条件下：（讨论） 非线性3.1 材料结构原理3.1.3 结构和原理设样品为N型材料 导出电流表达式3.1.3 结构和原理在x处光生载流子浓度 3.1.3 结构和原理在x处光生载流子浓度 x处的光电导率为 漂移电流密度（A/m2）为 3.1.3 结构和原理漂移电流密度（A/m2）为 光电导探测器 平均光电流 3.1.3 结构和原理光电导探测器 平均光电流 由此可得到两个结论：(1). 光电导探测器为受控恒流源 (2). 光电导探测器光敏面做成蛇形补充知识1：电压源：RSRL电流源：RSRL两者关系： IS=ES/RS补充知识2： 受控电流源：例如，三极管h参数等效电路3.1.3 结构和原理光电导探测器 平均光电流 (1). 光电导探测器为受控恒流源 光电阻Rp0--平均光照时 光敏电阻的阻值U--光电阻Rp0上的分电压。利用该等效电路可方便地计算光电导探测器接受交变辐射时的输出信号。微变等效电路 使用条件：光通量变化较小 3.1.3 结构和原理光电导探测器 平均光电流 (1). 光电导探测器为受控恒流源 (2). 光电导探测器光敏面做成蛇形－－光电流Ip与长度lz的平方成反比 3.1.3 结构和原理光敏电阻结构示意图 3.1.3 结构和原理2.光电导增益渡越时间－－光电导探测器的内增益，也称为光电导增益 第03章 光电导探测器3.1 材料结构原理3.2 主要特性参数3.3 偏置电路和应用3.2 主要特性参数1. 光电特性和γ值2. 光电导灵敏度3. 光谱特性4. 频率特性5. 温度特性6. 前历效应7. 噪声特性1. 光电特性和γ值光敏电阻的光电流与入射光通量（光照度）之间的关系称光电特性 强光－－γ为0.5弱光－－γ为1γ＝ 0.5~1－－照度指数α为电压指数，～1 弱光－－线性（测量）Sg比例系数，与材料有关 强光－－非线性（控制） 1. 光电特性和γ值实用的光电特性参数：照度指数γ值 （ α ≈1）（ α ≈1）例：表3－1 γ值暗电阻 ～MΩ亮电阻 ～KΩ3.2 主要特性参数2. 光电导灵敏度弱光 ，光电导灵敏度： S/1m，S/1x S/μW，S/μW/cm2 3.2 主要特性参数3. 频率特性两个阶段： 光电导探测器总的响应时间由探测器本身响应时间决定 ，与外接负载电阻大小无关。3.2 主要特性参数3. 频率特性CdSe光电导探测器： Load resistance RL/? 100 1k l0k 100kResponse time tr/ms 5.4