光电探测与信号处理 第04章 光伏探测器.pptxVIP

第04章 光伏探测器光伏效应：PN结受到光照时，可在PN结的两端产生光生电势差，这种现象则称为光伏效应。光伏探测器：利用半导体光伏效应制作的器件称为光伏探测器，简称PV（Photovoltaic）探测器，也称结型光电器件。 光伏器件简称PV（Photovolt）单元器件线阵器件四象限器件第04章 光伏探测器4.1 光伏探测器的原理和特性4.2 常用光伏探测器4.3 光伏探测器组合器件4.4 光伏探测器的偏置电路4.1 光伏探测器的原理和特性1. 光照下的PN结电流方程及伏安特性 2. 开路电压Uoc和短路电流Isc3．暗电流和温度特性4．噪声、信噪比和噪声等效功率5. 光谱特性 6. 响应时间和频率特性 4.1 光伏探测器的原理和特性1. 光照下的PN结电流方程及伏安特性电流方程 伏安特性 1. 光照下的PN结电流方程及伏安特性伏安特性第一象限：普通二极管 光电探测器 这个区域没有意义！！ 1. 光照下的PN结电流方程及伏安特性伏安特性第三象限：光电导模式 光电二极管 这个区域重要意义！！ 反向偏压可以减小载流子的渡越时间和二极管的极间电容，有利于提高器件的响应灵敏度和响应频率。 1. 光照下的PN结电流方程及伏安特性伏安特性第四象限：光伏模式 光电池 工作区域1. 光照下的PN结电流方程及伏安特性伏安特性普通二极管 光电二极管 光电池 1. 光照下的PN结电流方程及伏安特性等效电路 （意义：分析与计算）普通二极管电流源4.1 光伏探测器的原理和特性 2. 开路电压Uoc和短路电流Isc负载电阻RL→∞，光伏探测器两端的电压称为开路电压 4.1 光伏探测器的原理和特性 2. 开路电压Uoc和短路电流Isc负载电阻RL=0，流过光伏探测器称为短路电流 4.1 光伏探测器的原理和特性 2. 开路电压Uoc和短路电流Isc伏安特性4.1 光伏探测器的原理和特性3. 暗电流电流方程 暗电流常温条件下，暗电流硅光电二极管 ～100nA硅PIN光电二极管～1nA 硅光电二极管暗电流的温度特性 4.1 光伏探测器的原理和特性3. 暗电流电流方程 暗电流暗电流的影响：1.弱光的测量 2.增大散粒噪声暗电流减小方法： 1.降低温度 2.偏压为零或为负4.1 光伏探测器的原理和特性4．噪声、信噪比和噪声等效功率光伏探测器的噪声主要包括器件中光电流的散粒噪声、暗电流的散粒噪声和PN结漏电阻Rsh的热噪声。 噪声等效功率 注意：一般产品手册中给出的探测器的NEP值仅考虑了暗电流对散粒噪声的贡献。4.1 光伏探测器的原理和特性光电二极管噪声等效功率计算PIN PD ～10-14W/Hz1/24.1 光伏探测器的原理和特性5. 光谱特性紫外光可见光红外－－远红外光光伏探测器波长响应范围4.1 光伏探测器的原理和特性5. 光谱特性紫外光可见光近红外－－远红外光光伏探测器波长响应范围紫外光可见光近红外－－极远红外光光电导探测器波长响应范围二者光谱响应范围的差别？为什么？4.1 光伏探测器的原理和特性 6. 响应时间和频率特性 响应时间： 扩散时间～10-9s 漂移时间～10-11s 电路时间常数 1.5×10－9 s光伏效应示意图薄光敏区；减小结面积，增加耗尽区宽度；减小负载4.1 光伏探测器的原理和特性 6. 响应时间和频率特性 频率特性： 仅考虑电路时间常数硅光电二极管~几百兆赫，~上千兆赫的响应频率; PIN光电二极管~10GHz,雪崩光电二极管100GHz4.1 光伏探测器的原理和特性比较：频率特性光伏探测器光伏探测器频率特性由电路时间常数决定光电导探测器光电导探测器频率特性由载流子寿命决定4.2 常用光伏探测器4.2.1 硅光电池 4.2.2 硅光电二极管4.2.3 硅光电三极管4.2.4 PIN光电二极管4.2.5 雪崩光电二极管4.2.6 紫外光电二极管4.2.7 碲镉汞、碲锡铅红外光电二极管4.2 常用光伏探测器4.2.1 硅光电池 工作区域：第四象限：4.2 常用光伏探测器4.2.1 硅光电池 结构：2DR和2CR分类：太阳能光电池－－主要用作电源，转换效率高、成本低(Solar Cells) 测量光电池－－主要功能是作为光电探测用，光照特性的线性度好4.2 常用光伏探测器4.2.1 硅光电池 光电特性照度—电流电压特性照度—负载特性4.2 常用光伏探测器 4.2.1 硅光电池 伏安特性光电池伏安特性 4.2 常用光伏探测器 4.2.1 硅光电池 伏安特性无外加偏压（自偏压）4.2 常用光伏探测器 4.2.1 硅光电池 光谱特性与材料有关；硅光电池的蓝化，光度学测量。频率特性光伏模式：几十KHz；光电导模式：MHz。温度特性开路电压与短路电流受工作温度的影响。4.2 常用光伏探测器4