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摘要本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率对扩散后方块电阻表面浓度和结深的影响采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻结果显示基体电阻率越高扩散后的方阻越高采用电化学电压电容测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化测量的结果表明了电阻率高的硅片扩散后表面浓度低结深越小是扩散后方阻高的原因这些结果对太阳能电池生产的扩散工艺有一定的指导意义引言目前在国际环境和能源问题日趋严重的大背景下新型无污染的新能源得到的快速的发展而太阳能电池能够将太阳能直接转化成电能得到了大力的发展到目前为止晶体硅太阳能电池仍占据着
摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明了电阻率高的硅片扩散后表面浓度低、结深越小，是扩散后方阻高的原因，这些结果对太阳能电池生产的扩散工艺有一定的指导意义。
引言：目前，在国际环境和能源问题日趋严重的大背景下，新型无污染的新能源得到的快速的发展，而太阳能电池能够将太阳能直接转化成电能得到了大力的发展，到目前为止，晶体硅太阳能电池仍占据着整个太阳能电池的主要市场[1-3]。然
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