2015电路补充章B概要.ppt

* * * * * * 详解：输出特性 恒流区 | uGS | ? | UGS(off) | 且 | uDG | = | uDS - uGS | | UGS(off) | uGS和iD为平方率关系。预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱。 可变电阻区 | uGS | ? | UGS(off) | 且 | uDG | | UGS(off) | uDS的变化明显改变iD的大小。 截止区 | uGS | | UGS(off) | iD = 0 * 5.5.2　绝缘栅场效应管 （选讲） 绝缘栅场效应管记为MOSFET，根据结构上是否存在原始导电沟道，MOSFET又分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。 * IGFET（ MOSFET ） 增强型(Enhancement-mode) N沟道（导电通道） N-channel 耗尽型(Depletion-mode) * 一、工作原理 UGS = 0 ID ＝ 0 UGS UGS(th) 电场 反型层 导电沟道 ID 0 UGS控制ID的大小 N沟道增强型MOSFET * 工作原理 Threshold voltage （开启电压) 反型层(Inversio