23第六章6.3沟道电导与阈值电压概要.pptVIP

* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices 沟道电导与阈值电压 实际MOS的C-V特性 §6.3-6.4 Outline 1、阈值电压(Threshold voltage) 2、沟道电导(Channel conductance) 3、实际MOS的C-V特性 （1）影响C-V特性的因素 ① 功函数的影响(Work function) ② 界面陷阱和氧化物电荷的影响 （2）实际MOS阈值电压 （3）实际MOS的C-V特性 MOSFET阈值电压VTH是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值(如50μA)时的栅源电压为阈值电压。同时，从使用角度讲，希望阈值电压VTH小一些好。由于阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。 一 阈值电压 VGVTH，才出现负的感应沟道电荷QI，则有阈值电压： 或： 强反型时的表面势 强反型时所需要的电压： 沟道电导定义： 二 沟道电导 xI 对于铝的功函数比P型硅的小(前者的费米能级比后者的高)构成MOS系统，当达到热平衡时，系统的