26第六章器件尺寸比例概要.pptVIP

二 器件的小型化 减小短沟道效应而能保持原来沟道特性的有效方法是：将器件的所有尺寸和电压同时缩小一个比例因子k (k1)，使内部电场和长沟道MOSFET的相同，缩小后的尺寸为： 为使电场恒定，工作电压变化为： 相应的物理量变化为： 开关功率和直流功率分别换算为： 开关能量换算为： 工作速度提高，元件密度增加，而功率密度保持不变。但电流密度按比例因子倍增。 阈值电压也按比例缩小了同样的倍数。 用常数比例因子缩小的MOSFET 阈值电压也按比例缩小了同样的倍数 另一种缩小尺寸的方法是：以最小尺寸Lmin （保持长沟特性的最小沟道长度）来确定参数γ。 γ=rjx0(Ws+Wd)2 (Ws+Wd)：漏与源耗尽层宽度之和 Lmin ≈0.4[rjx0(Ws+Wd)2]1/3 =0.4 γ 1/3 例如：为了设计具有长沟道性能而沟道长度为0.5μm的MOSFET，参数应当是2，一旦确定了γ ，就可以选择其他参数值。 经验公式： 实验和二维计算机模拟分析得到的参数Lmin 和γ的关系 这种方法允许器件的各个参数独立调整，只要保持γ不变即可。所以器件参数不必按同样的因子k缩小。 沟道长度为0.22 μm的MOSFET的实测I-V特性 MOSFET基本制造工艺是： P沟道工艺、N沟道工艺、硅栅工艺与离子注入工艺。 三 MOSFET制造工艺 ① P沟道工艺 具有四种不同的掩膜，在金属栅下边的薄氧