4-第3章应变传感器概要.pptVIP

横向效应的大小用横向效应系数H表示 含义：在同一单向应变作用下垂直于单向应变方向安装的应变片的指示应变与平行于单向应变方向安装的同批应变片的指示之比的百分数。一般为2％。 3.2 薄膜应变电阻及传感器 3.2.1 薄膜的分类 1 按薄膜厚度分类 (1) 非连续金属膜。厚度小于10-8m,膜面呈一个个孤立的小岛，之间没有通道，导电作用是由隧道效应实现的。 (2) 半连续膜。厚度在10-8～2×10-8m之间，各岛之间有若干连线。 (3) 连续膜。厚度为2×10-8m，膜面基本没有岛状结构，稳定性最强。 2. 按薄膜结构分类 (1) 多晶体薄膜。通常由半导体（Ge、Si）和化合物半导体（锑化铟、砷化镓）制成。 (2) 单晶体薄膜。用外延生长方法获得的半导体薄膜均属单晶体薄膜。如硅薄膜。 (3) 无定形薄膜。金属氧化物介质薄膜。通常用作绝缘层。 3.2.2 薄膜应变传感器的特点 1. 薄膜应变片可以同弹性体键合在一起，构成整体式薄膜传感器；也可制成单一的薄膜应变片，再粘贴在弹性体上构成传感器。 2. 用薄膜技术制成的合金型应变片和传感器，稳定性很好，电阻温度系数很小,一般为（10-5~10-6）/℃。 3. 合金型薄膜应变片的灵敏系数较低，大体同金属丝式和箔式应变片相当。 4. 其阻值可以作的很大，通常达到几千到几万欧姆，可在低功耗状态下工作。 5. 对其反复加载106次以上，仍能正常工作，因此其耐疲劳性能好。 6. 其量程很大，一般制成大量程称重、加速度、压力传感器。 * * 第3章 应变式传感器 3.1 电阻应变式片 应变式传感器的核心元件是电阻应变片，它可将试件上的应力变化转换成电阻变化。 应变效应 导体或半导体在受到外界力的作用时，产生机械变形，机械变形导致其阻值变化，这种因形变而使阻值发生变化的现象称为应变效应。 σ—试件的应力 ε—试件的应变 E—试件材料的弹性模量 3.1.1 电阻应变片的结构和类型 一 电阻应变片的结构 应变片的结构由敏感栅、基底、粘合剂、引出线和覆盖层组成。 基底 覆盖层 敏感删 引出线 金属丝应变片结构 1．金属电阻应变片:丝式、箔式、薄膜式。 (1)金属丝式应变片： 将金属电阻丝（一般是合金，电阻率较高，电阻约为120Ω，直径约0.025mm）粘贴在绝缘基片上，上面覆盖一层薄膜，使它们变成一个整体。 二 电阻应变片的分类 金属电阻应变片 半导体电阻应变片 （2）金属箔式应变片 利用光刻、腐蚀等工艺制成一种很薄的金属箔栅，厚度一般在0.003~0.010 mm，粘贴在基片上，上面再覆盖一层薄膜而制成。其优点是表面积和截面积之比大，散热条件好，允许通过的电流较大，可制成各种需要的形状，便于批量生产。 箔式应变片 （3）金属薄膜应变片 金属薄膜应变片是采用真空蒸镀或溅射式阴极扩散等方法，在薄的基底材料上制成一层金属电阻材料薄膜以形成应变片。厚度在0.1mm以下。将产生应变的金属或合金直接沉淀在弹性元件上而不用粘合剂，应变片的滞后和蠕变都很小，灵敏度高。 常用应变片的形式 金属应变计 2．半导体应变片 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的压阻效应而制成的一种纯电阻性元件 。当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率会发生变化。 半导体应变片比金属应变片灵敏度大50～100倍，但电阻温度系数大，非线性也大。 3.1.2 电阻应变片的重要特性 1 灵敏度系数 金属应变丝的电阻相对变化与它所感受的应变之间具有线性关系，用灵敏度系数k表示。当金属丝做成应变片后，其电阻—应变特性与金属单丝情况不同。因此，须用实验方法对应变片的电阻—应变特性重新测定。实验表明，金属应变片的电阻相对变化与应变ε在很宽的范围内均为线性关系。 2 横向效应 金属丝式应变片由于敏感栅的两端为半圆弧形的横栅，测量应变时，构件的轴向应变ε使敏感栅电阻发生变化，而其横向应变εr也使敏感栅半圆弧部分的电阻发生变化。 应变片的这种受轴向应变影响同时，横向应变使电阻变化率减小，降低灵敏系数的现象称为横向效应。 应变片粘贴在被测试件上，当温度恒定时，增加或减少机械应变过程中，在同一机械应变量的作用下指示应变的差数，即为机械滞后。 Δε Δε1 机械应变εR 卸载 加载 指示应变εi 应变片的机械滞后 3 机械滞后、零漂及蠕变 产生原因：应变片在承受机械应变后的残余变形，使敏感栅电阻发生少量不可逆变化；在制造或粘贴应变片时，敏感栅受到的不适当的变形或粘结剂固化不充分等。 按薄膜厚度分类 按薄膜结构分类 *