数字电子技术基础宋婀娜第6章课件教学.pptVIP

(1)存储矩阵 (2)地址译码器 （3）读写控制端 2、SRAM存储单元 4．RAM存储容量的扩展 （2）字数的扩展—用8KX8位的芯片组成32KX8位的存储系统。 (3)位字同时扩展-用4片1KX4位的RAM组成2KX8位的存储系统 4．用ROM实现组合逻辑函数 可编程逻辑器件分类 6.2.1 简单可编程逻辑器件SPLD 馋死 PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY * 此处说明电压电流等为什麽用相量形式. * * * 在线教务辅导网： 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网 6 大规模集成电路 6.1 半导体存储器 6.2 可编程逻辑器件 教学基本要求： 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 了解CPLD、FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理。 概 述 半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。 可编程逻辑器件是一种通用器件，其逻辑功能是由用户通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、结构灵活、处理速度快、可靠性高等优点。 存储器的主要性能指标 取快速度——存储时间短 存储数据量大——存储容量大 6.1 半导体存储器 6.1.1 随机存取存储器RAM 6.1.2 只读存储器ROM 6.1.1 随机存取存储器（RAM） 1、 基本结构 字长（位数）：表示一个信息多位二进制码称为一个字， 字的位数称为字长。 字数：字的总量。 字数=2n （n为存储器外部地址线的线数） 存储容量（M)＝字数×位数 地址单元的个数 与二进制地址码的位数 满足 地址译码器用来选择欲访问的存储单元，RAM中数据的读出和写入是以“字”为单位进行的，故在存储矩阵中将存储一个字的若干个存储单元编为一组，并赋予一个号码，称为地址。不同的字单元具有不同的地址，字单元也称为地址单元。 当片选信号CS有效时，芯片可以进行读/写操作，否则芯片不工作。读/写控制信号 是用来控制芯片的读、写操作的。 双稳态存储单元电路 列存储单元公用的门 控制管，与读写控制电路相接 Yi ＝1时导通 本单元门控制管:控制触发器与位线的接通。Xi =1时导通 来自列地址译码器的输出 T5、T6导通 T7 、T8均导通 Xi =1 Yj =1 触发器的输出与数据线接通，该单元通过数据线读取数据。 触发器与位线接通 T 存储单元 写操作:X=1 =0 T导通，电容器C与位线B连通 输入缓冲器被选通，数据DI经缓冲器和位线写入存储单元 如果DI为1，则向电容器充电，C存1;反之电容器放电,C存0 。 - 刷新R 行选线X 读/写 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 3．DRAM存储单元 读操作:X=1 =1 T导通，电容器C与位线B连通 输出缓冲器/灵敏放大器被选通，C中存储的数据通过位线和缓冲器输出 T / 刷新R 行选线X 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 每次读出后，必须及时对读出单元刷新，即此时刷新控制R也为高电平，则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。 位扩展可以利用芯片的并联方式实现。 ··· CE ┇ A11 A0 ··· WE D0 D1 D2 D3 WE CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 D12 D13 D14 D15 CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 WE （1）字长（位数）的扩展---用4KX4位的芯片组成4KX16位的存储系统。 字数的扩展可以利用外加译码器控制存储器芯片的片选输入端来实现。 6.1.2 只读存储器 只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。(Read-Only Memory) ROM的分类 按写入情况划分 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM 按存贮单元中器件划分 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 1、 ROM的基本结构 2、二极管PROM结构示意图 存储 矩阵 位线 字线 输出控制电路 M=4?4 地址译码器 字线与位线的交点都是一个 存储单元。交点处有二极管 相当存1，无二极管相当存0 当OE=1时输出为高阻状态 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0