数字电子技术基础王友仁等第2章数字集成门电路20101201课件教学.pptVIP

2.1 概述 门电路：完成基本逻辑运算和复合逻辑运算的电子电路，它是组成数字电路的基本单元。 门电路分为分立元件门电路和集成门电路两种。 由于集成门电路具有重量轻、体积小、功耗低、可靠性高、工作速度高以及使用方便等优点，因而被广泛应用。 数字集成电路按所用半导体开关器件的不同，可分为两大类：一类称为双极型数字集成电路，例如TTL电路；另一类称为单极型或MOS型集成电路，例如CMOS电路等。 1. MOS集成门电路 MOS集成逻辑门是采用半导体场效应管作为开关元件的数字集成电路，它分为PMOS、NMOS和CMOS三种类型。 CMOS器件的主要优点是结构简单、价格便宜、体积小、功耗低。 2. 双极型集成门电路 双极型数字集成门电路有TTL、ECL电路和I2L电路等类型。TTL是应用最早，技术最为成熟的集成电路，曾被广泛使用。 2.2 MOS集成门电路 2.2.1 MOS管的开关特性 栅-源极间、栅-漏极间、漏-源极间都有电容效应，会影响着管子的开关速度。 MOS管是一种电压控制型器件，只有一种载流子参与导电。 优点：结构简单，便于集成，输入阻抗高，功耗小等。 主要缺点：开关速度较低。 但随着工艺的改进，速度已 和TTL电路不相 上下了。 MOS管开关电路工作波形: 2.2.2 CMOS反相器 1．电路结构与工作原理 设开启电压UTN＝∣UTP∣＝UT， VDD2UT；uGSP-UT时，TP导通 uGSNUT时，TN导通。 当uI＝UIL＝0V时， TN截止，TP导通 当uI＝UIH＝VDD时， TN导通，TP截止 输入与输出满足非的逻辑关系。 TP、TN始终有一个工作在截止状态，因此CMOS门电路的静态功耗都很低。 2．CMOS反相器的特性及有关参数 （1）电压传输特性和电流传输特性 (2) CMOS电路的有关参数： 1）工作电源电压 CMOS门电路的工作电压范围很宽，其中4000、4000B系列，VDD＝3～18V；74HC和74HCT系列，VDD＝2～6V；74LVC系列，VDD ＝1.2～3.6V；74AUC系列， VDD ＝ 0.8～2.7V。CMOS的各种参数都与电源电压VDD呈线性关系。 2）输入电平和输出电平 典型的CMOS电路在5V电源下工作，0～1.5V之间的输入电压对应逻辑0，3.5～5V之间的输入电压对应于逻辑1。不同系列的CMOS电路，逻辑1和逻辑0所对应的电压范围也不同。在器件手册中通常给出4种逻辑电平参数。 2）输入电平和输出电平 ①UILmax（关门电平UOFF），UILmax大约在0.3VDD左右 ②UIHmin（开门电平UON），UIHmin近似于0.7VDD左右 ③UOLmax，UOLmax一般为0.02VDD ④UOHmin， UOHmin一般为0.98VDD 3）阈值电压 从CMOS反相器的电压传输特性曲线中可以看出，输出高低电平的过渡区很陡，其阈值电压UT约为VDD的一半。 4）抗干扰能力 抗干扰能力也称为噪声容限。 在保证输出高、低电平的变化不超过允许限度的条件下，输入电平的允许波动范围称为输入端噪声容限。 输入高电平时的噪声容限: UNH＝UOHmin－UIHmin 输入低电平时的噪声容限: UNL＝UILmax－UOLmax （2）输入特性 电路在使用前输入端是悬空的，只要外界有很小的静电场，都可能在输入端积累电荷而将栅极击穿。因此必须采取保护措施。 CMOS反相器输入保护电路: 在输入电压的正常工作范围 内（0≤ uI ≤VDD），输入保护 电路是不起作用的。 设二极管的正向导通压降为UDF 则当uI -UDF或uI VDD+UDF时，MOS管的栅极 电位将被钳在-UDF～VDD+UDF之间，使栅极的 SiO2层不会被击穿 输入特性曲线 当输入电压-UDFuIVDD+UDF时，输入电流iI几乎为0。 当uI-UDF时，iI的绝对值将随uI绝对值的加大而迅速增加。 当uIVDD+UDF以后，iI也将迅速增加。 （3）输出特性 1）高电平输出特性 当负载电流iO=IOH↑ TP管的导通压降uDS↑ 输出电压uO＝UOH减小 ★TP管的导通电阻与栅源电压uGSP的大小有关，uGSP的绝对值越大其导通内阻越小 当反相器的电源电压VDD越大，则加到TP管上的栅源电压uGSP就越负，在同样的负载电流iO下，TP管的导通压降就越小，电路的输出电压UOH也就下降得越少。 2）低电平输出特性 当负载电流iO=IOL↑ TN管的导通压降uDS↑ 输出电压uO＝UOL增大 ★同样的，TN管导通电阻也与栅源电压uGSN的大小有关，uGSN的绝对值越大其导通内阻越小 当反相器的电源电压VDD越大，则