FinFET工艺论文概要.docVIP

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  • 2017-03-05 发布于湖北
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FinFET工艺论文概要

微电子 前沿(4) 姓名: 学号: 签名: 微电子前沿------ FinFET技术 引言:2015年,这是一个FinFET的时代,FinFET器件纷纷进入移动市场,苹果,三星,华为纷纷推出自己的使用了FinFET工艺的芯片。在16nm以及14nm制程时代,只有FinFET工艺才能稳定发展,三星、台积电目前的14nm/16nm都极其依赖于FinFET技术。而在2015年12月24日这一天,美国公布了9名国家科学奖获得者和8名国家技术和创新奖获得者的名单,美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖,没错就是鳍式场效晶体管(FinFET)的发明者。 为什么现在FinFET能主宰微电子前沿领域,没有使用这个技术的芯片只能落后于这个时代? 因为,早期的IC制程基本都是基于传统的平面型晶体管结构,平面型晶体管指的是MOSFET的源极、漏极、栅极和沟道的横截面处于同一平面上的晶体管。虽然平面型晶体管技术

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