RFMEMS技术调研报告概要.doc

2010~2012年MEMS发展报告 RF MEMS  第一章 绪论 RF MEMS是指利用MEMS技术加工出来的尺寸在微米到毫米量级的射频器件，能够对射频信号进行控制。和传统的射频器件相比，RF MEMS器件不仅尺寸更小，更加容易与单片电路集成，性能上也有了大的提高（例如低插损、线 性、宽带、低功耗），可替代传统的PIN 二极管和同类铁氧体产品。） 按照RF MEMS研究层面的不同，可以将其分为三类： 基本器件：微机械开关，可变电容，电感，谐振器。 组件层面：移相器，滤波器，压控振荡器。 系统层面：接收机，变波束雷达，相控阵天线。 RF MEMS器件的工作频率如下： （1）RF MEMS开关、变容器和电感器，可工作在DC~120GHz范围。 （2）微加工传输线、高Q 谐振器、滤波器和天线，适合于12~200 GHz 范围。 （3）FBAR（薄膜体声谐振器）和滤波器，直到3GHz都表现出优异的性 能和高Q 值（2000 ）。 （4）RF微机械谐振器和滤波器，在0.01 ～200MHz 性能较好并有高Q 值（8000 ）。 图1 给出了RF MEMS器件工作频率范围。 图1 RF MEMS 器件工作频率范围 图2 给出了RF MEMS技术的应用领域和范围；图3 给出了RF MEMS开关的应用领域。 图2 RF MEMS 的应用领域与应用范围 图3 RF MEMS开关的应用领域 技术发展 2.1国外RF MEMS技术发展现状 2.1.1 国外RF MEMS 开关的研究 1990～1991年，在DARPA（美国国防预先研究计划署）资助下，位于加州Malibu 的Hughes（休斯实验室）研制出微波控制的第一个MEMS开关（和变容器）。它证实了直到50GHz 范围内MEMS 开关的优异性能，比用GaAs器件实现的任何开关性能都要好得多。到1995年，Rockwell （罗克韦尔）科学中心和TI （德州仪器）公司均研制出性能优异的RF MEMS开关。Rockwell 开关是金属－金属接触式的开关，适合于DC~60GHz应用，而TI 开关是电容式接触开关，适合于10~120GHz 应用。1998年，Michigan（密歇根）大学、UC Berkeley（加州大学伯克莱分校）、Northeastern（东北）大学、MIT（麻省理工学院）材料实验室、Columbia （哥伦比亚）大学、ADI （模拟器件）公司、Northrup Grumman公司等都积极研究RF MEMS 器件。 2001年，30多个公司都从事RF MEMS研究，其中包括消费电子产品的巨人，如Motorola（摩托罗拉）公司，Analog Devices（模拟器件）公司，Samsung （三星）公司，Omron （奥姆龙）公司，NEC公司和ST- 微电子（意法半导体公司）。2003年密歇根大学的Dimitrios Peroulis等人采用三层梁结构，加大电极区面积以及蛇形梁降低弹性系数的方法实现了低驱动电压开关，驱动电压低至6V。 2005年新加坡南洋理工大学的A.B. Yu等人为了提高MEMS开关的隔离度，采用分两步旋涂光刻胶的方法，首先在地线和信号线之间用光刻胶填满空隙，再在其上旋涂光刻胶牺牲层，这样可以保证牺牲层表面的平整度，提高开关电容比，进而提高隔离度。和一般的开关相比，该开关在15GHz频率时隔离度提高了2.2dB，在40GHz频率时隔离度提高了10dB。 2006年，英国帝国理工学院的Suneat Pranonsatit等人研制了一种单刀八掷开关，平均接触电阻为2.5Ω，20GHz频率下的插入损耗为2.65dB，隔离度31dB，这是第一个真正的单刀多掷RF MEMS 旋转开关。 2007年，DavidA.Goins等人开发了一种性能优异的接触式开关，它在DC~20GHz频率上都能良好地工作，插入损耗小于0.4dB，20GHz时的隔离度为25dB。 2008年，法国的M. Fernandez-Bolanos等人研制了一种电容式开关，为了防止在Si/SiO2衬底上形成反型层，在硅衬底上生长了一层无定型硅，防止电子积累。进一步的，在信号线和地线之间进行了下刻蚀，去除了信号线附近的部分硅衬底，避免了在信号线了地线之间形成信号通道。在该开关中采用TiO2作为介电层材料（介电常数=20），获得高电容比。该开关的电容比为200，驱动电压为8V。 2008年，澳大利亚新南威尔士的Hamood Ur Rahman设计的新颖结构的接触式开关，驱动电压低至6.29V，40GHz频率范围一下的插入损耗为0.37dB，隔离度23.5dB。 2009年，Jaehong Park等人为了避免接触式开关（包括金属-金属结构和