存储器(存储器).pptVIP

引言 教学实验系统简介： 本教学实验系统采用部件单元式结构，主要部件单元见实验箱。 教学实验系统特性： 1.若控制信号的跳线器跳左边，表示手动给信号，跳右边 表示控制信号自动产生。 2.实验箱正逻辑设计，指示灯亮表示1，指示灯灭表示0。 　 3.总清可清地址，需拨0—1—0。 4.做所有实验，总清不能拨在0位置，否则地址总线总，总清总应拔在上面1的位置。 实验一 存储器实验 RAM，随机存取存储器。主存储器简称主存，由RAM和ROM构成，是计算机系统的主要存储器，用来存放计算机运行期间的大量程序和数据。 思考：电源关闭再开启后，主存储器RAM中的数据是否会改变？ 存储器包括存储单元地址和存储单元地址中的数据，本实验箱用的是8位存储单元。 实验一 存储器实验 对随机存储器的操作有写操作和读操作。 CPU对存储器进行读/写操作，首先由地址总线给出地址信号，然后要发出读操作或写操作的控制信号，最后在数据总线上进行信息交流。因此，存储器同CPU连接时，要完成地址线的连接、数据线的连接和控制线的连接。 实验一 存储器实验 实验目的 　掌握随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法 实验内容 　先往不同的存储单元中写入数据，然后再分别读出这些存储单元中的数据，看是否是先前写入的数据。 实验一 存储器实验 实验原理图 实验一 存储器实验 U51 74LS245 三态门 SW-B 门控信号，低有效 U37 74LS273 地址寄存器 LDAR 地址寄存器门控信号，高有效 T3 正向脉冲时，可锁存地址 U52 6264 主存储器单元 WE 读写信号 CE 存储器片选信号，低有效 T3正向脉冲时，可将数据写入到当前的地址单元中 实验一 存储器实验 实验接线 ⑴ MBUS连BUS2； ⑵ EXJ1连BUS3； ⑶ 跳线器J22的T3连TS3； ⑷ 跳线器J16的SP连H23； ⑸ 跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨在左边（手动位置）。 实验一 存储器实验 实验步骤 　给存储器的00地址单元中写入数据11 一．写存储器 １.写地址： 关掉存储器的片选（CE=1），打开地址锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0），由开关给出要写入的存储单元地址，T3产生一正向脉冲将地址打入到地址锁存器中。此时总线地址显示灯应显示开关输入的数。 2. 写数据： 关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0），打开存储器的片选（CE=0），使之处于写状态（WE=1），由开关给出此单元要写入的数据，T3给一正向脉冲将数据写入到当前的地址单元中。此时总线数据显示灯应显示开关输入的数。 实验一 存储器实验 实验一 存储器实验 一．读存储器 １.写地址： 关掉存储器的片选（CE=1），打开地址锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0），由开关给出要写入的存储单元地址，T3产生一正向脉冲将地址打入到地址锁存器中。（同写存储器）此时总线地址显示灯应显示开关输入的数。 2. 读存储器： 关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0），关掉数据开关三态门（SW-B=1），打开存储器的片选（CE=0），使之处于读状态（WE=0），此时数据总线上显示的数据即为存储器当前地址中读出的数据内容。总线数据显示灯应显示开关输入的数。 实验一 存储器实验 实验一 存储器实验 实验注意事项 1. 实验初始状态： 　“运行控制”开关置为“运行”状态，“运行方式”开关置为“单步”状态。 2.Ｔ3脉冲的产生： 　每按动一次“启动运行”开关，T3输出一个正单脉冲。 3. 所有控制信号的跳线接至左边手动方式。 4. 总清开关（LCLR）应为“1”，不能为“0”，为“0”时，地址总线上的数据永远为00H。 实验一 存储器实验 实验要求 　１.往存储器的任意两个存储单元中写入相应的数据。 　２.读出你刚才设定的那两个存储单元中的数据，检验是否是你在实验1中所写入的数据。 实验一 存储器实验 存储器实验报告册要求： １．要求写出实验目的， 　２．要求写清实验步骤（最好用图示意）。 ３．要求写清实验结果。 4、 要求写出实验总结 * 0 1 0 1 0 0 1 1 15H 53H 三态门 地址寄存器 主存储器 *