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静电放电和测试中的隐性损伤特性 -摘要：多种应力产生的慢性损耗对静电放电特性和测试有显着影响。本文从这TLP、HMM和CDM模型在产品和结构的试验结果举例说明。隐性损伤会导致较低的失效电压，为获得正确的失效电压应尽量减少隐性损伤的影响。 一、引言 本文讨论了ESD测试中的重复效应，当设备或组件的失效水平取决于所施加的脉冲的数目时，可以观察到重复效应。本文将表明，具有TLP和VF-TLP特性的脉冲数可能会对结果有显着的影响。随着脉冲数的增加会观察到的性能下降。我们称之为隐性损伤。此外,本文表明, 在产品质量的评估方法上隐性损伤的现象也可能变得更加明显,如HMM、CDM模型，但重要与否取决于的质量目标和产品应用的目的。 事实上，静电放电的隐性损伤一直是一个经常争论的话题。早在1983的一项研究对一个半导体保护使用了（200 pF，100Ω）脉冲，实验表明随着脉冲数增加失效电压缓慢的降低，这个数据发表没有经过讨论。在1991年，作者针对HBM测试的局限性重新使用该数据，他得出的结论是，使用多个HBM、MM脉冲可以揭示保护设计的弱点，但3种脉冲也可以掩盖早期的失效现象。 在大多数的研究中所使用的脉冲的数目是相当有限的，通常小于30。得出的结论是不同的：一种认为使用多个脉冲没有影响或降低失效水平或提高失效水平（应力硬化）。另一项研究声称，使用多个脉冲对ESD性能没有影响，但导致较高的EOS（即长时间应力的）敏感度。 多年来随着测试仪的设计的改进传统，3种脉冲的方法被引入到补偿脉冲再现性问题，据报道，由于应力积累某些高引脚数产品出现早期的失效。由于日益复杂的现代集成电路，测试时间增加到不切实际的水平。由于这些原因，常见的HBM和CDM产品合格标准降低了脉冲的数量被应用（通常从3到1）。 可以说，没有一个安全的电压，即一个静电应力水平低于没有慢性磨损可以发生，存在。图1显示了一个重复的TLP测试的金属线特性结果。 图1：金属线重复100 nsTLP应力 尽管有相对较高的电流密度，但隐性损伤很缓慢。一个渐进的电阻值的变化会被观察到。这种电阻值的变化可能会或可能不会影响性能的设计。然而，最终一个开放的发展，这极有可能会破坏的集成电路的功能。 金属线将永远是任何应力路径的一部分因此会。众所周知,甚至低电流传输失败最终将导致金属(电迁移)。因此,任何电流会造成一些伤害。同样,众所周知,如果一个电场或电压氧化会随着时间降低[15]。它已经表明,这也适用于当在ESD事件压力时间[16]-[18]。的速度很大程度上取决于磁场强度,但并不是一个本质安全水平。关键是要知道是什么,在这个安全电压下面这种磨损是可以忽略的或可接受的。这适用于互连以及组件。第二部分展示了(vf)TLP特性影响两种不同的表现。第三部分和CDM测试演示了的影响。结果和预防措施本文完成图2：100ns TLP特点2高压ggnmosts图3：3固定电流下的漏电流与脉冲数2种不同的高压ggnmosts水平 无硅化物封装结构也在其它电流方向上也有压力。从1A到2A应力电流非常小的步进增加。共有超过5500个脉冲被施加。没有观察到漏电流增加。这个非对称行为表明，慢性损耗要早于金属氧化。 图4：反向应力结构没有硅化阻挡 图5和图6扫瞄式电子显微镜设备非常相似。这表明失效模式可能是相同的, 尽管重复压力照片也显示,低重复形成清晰的互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元电流是一种TLP特性中获得的ESD保护最相关的参数。所有曲线都放弃了最后一个好点。标准被设置为“任何泄漏电流的增加大于2样品都失败第一个迹象增加。50 v和100 v步非常类似,但3v和15v明显。这表明一个累积效应的存在。表明100 ns TLP的效果几乎是可见的。图9显示的差异取决于电流脉冲宽度和TLP与极快速传输线脉冲宽度区域接近慢慢消失的图8：步长100ns TLP测试效果LVTSCR图9：脉冲宽度为函数的故障电流金属支持所观察到的电流。虽然金属是已知的具效果，这通常是非常缓慢的，除非电流密度是非常接近（＞99%）的单脉冲电流密度。因此，它是不可能金属解释。这种众所周知的氧化不相关的。如图10所示1ns极快速传输线脉冲重复在ggnmost和双极实验。如图11所示。LVTSCR同样的效果， 基于ggnmost LVTSCR和行为的差异得出高电流密度热损伤根据文献和的研究结果我们可以区分几：氧化物击穿，接触脉冲，导致和金属。本节介绍的影。将讨论案例研究。第一种情况，，CMOS组装在一LQFP64封装。他们是为保护。 首先，样品单脉冲建立。然后另一个样本，直到。脉冲数记录。该方法被应用到。结果图12进行比较。 结果表明一个独立的保护弱的脉冲重复的依赖。这有点快 比[