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黄君凯 教授 第4章 光 刻 光刻：将掩模上的图形转移到覆盖在晶片表面的光致抗蚀剂上的工艺过程。 4.1 光学光刻 4.1.1 超净间 （1）尘埃粒子对晶片及光学掩模的影响：缺陷 图4-1 影响掩模的方式 形成针孔 引起短路 造成电流收缩或膨胀 黄君凯 教授 （2）超净间等级 英制体系：超净间单位立方英尺可允许 0.5 及以上尘埃的最大数目。 例如：100级 存在0.5 以上粒子尘埃100 ； 10级 存在0.5 以上粒子尘埃10 。 公制体系：超净间单位立方米可允许0.5 及以上粒子尘埃最大数目 （以10为底）的对数值。 例如： 级 存在0.5 以上粒子尘埃3500 ； 级 存在0.5 以上粒子尘埃350 。 这是由于：