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第七章 金属和半导体的接触 7.1 M?S接触的势垒模型 7.2 M?S接触的整流效应 7.3 M?S接触的欧姆接触 ?金属——半导体接触 由金属和半导体互相接触而形成的结构，简称M-S接触。 ?典型接触： 1、整流接触——单向导电性——肖特基势垒器件 2、欧姆接触——双向导电性—— 提供低阻互联 ？ 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1功函数（也称逸出功——逃离能） 金属功函数表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。 金属功函数 半导体功函数 电子亲和能表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱，越大，电子越不容易离开金属。 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.2 M?S接触的整流效应 7.2 M?S接触的整流效应 7.2 M?S接触的整流效应 7.2 M?S接触的整流效应 肖特基二极管与PN结二极管不同特点: 7.3 M?S接触的欧姆接触 7.3 M?S接触的欧姆接触 选用适当的金属材料就有可能得到欧姆接触。 7.3 M?S接触的欧姆接触 目前实现欧姆接触的方法主要是利用隧道效应的原理 常见的半导体一般都有很高的表面态密度，无论是N型材料或是P型材料与金属接触都形成势垒，而与功函数无关，因此不能通过选择金属材料的办法获得欧姆接触。 思考题 1.金属和半导体的功函数是如何定义的？半导体的功函数与哪些因素有关？ 2.说明金属-半导体接触在什么条件下能形成阻挡层？分析N型和P型半导体形成阻挡层和反阻挡层的条件？ 3.分别画出N型和P型半导体与金属接触时的能带图？ 4.半导体表面态是怎样影响势垒高度的？