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手机射频功率放大器的演变
END * * F * 教授：陳文山 學生：林晏羽 班級：碩研電子一甲 學號：9930228 THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE :FEB.2010 .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):60-69 .INSPEC ACCESSION NUMBER.DIGITAL OBJECT IDENTIFIER :10.1109/MMM.2009.935214 .DATE OF CURRENT VERSION :29 一月 2010 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY EVOLUTION OF RFIC HANDSET PAS * 手機業務增長 /預計增長 2002年至2013 圖 1。手機手機部門的增長，較去年同期預測全球（百萬）。 * THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE :FEB.2010 .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):60-69 .INSPEC ACCESSION NUMBER.DIGITAL OBJECT IDENTIFIER :10.1109/MMM.2009.935214 .DATE OF CURRENT VERSION :29 一月 2010 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY Requirements for Power Amplifiers * THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE :FEB.2010 .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):60-69 .INSPEC ACCESSION NUMBER.DIGITAL OBJECT IDENTIFIER :10.1109/MMM.2009.935214 .DATE OF CURRENT VERSION :29 一月 2010 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY Semiconductor Technologies for RF Integrated Circuit Handset PAs * 1.III - V族化合物為基礎的技術和矽為基礎 2. MESFET 3. PHEMT 4. HBT 半導體技術可用於 PA的應用： 砷化鎵（GAAS）優點： 1.高擊穿電壓 2.高增益 3.線性度好 4.加強 PAE的高產量Vcc THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE :FEB.2010 .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):60-69 .INSPEC ACCESSION NUMBER.DIGITAL OBJECT IDENTIFIER :10.1109/MMM.2009.935214 .DATE OF CURRENT VERSION :29 一月 2010 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY Semiconductor Technologies for RF Integrated Circuit Handset Pas * THIS PAPER APPEARS IN: MICROWAVE MAGAZINE,IEEE .ISSUE DATE :FEB.2010 .VOLUME :11,ISSUE:1 .ON PAGE(S):60-69 .INSPEC ACCESSION NUMBER.DIGITAL OBJECT IDENTIFIER :10.1109/MMM.2009.935214 .DATE OF CURRENT VERSION :29 一月 2010 .SPONSORED BY :IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES SOCIETY Handset Power Amplifier Design Methodologies and Architectures Saturated Power Amplifi er Design Methodologies a
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