第7章半导体器件课件1.ppt

第7章 半导体器件 主要内容有： 7.1 半导体的导电特性 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间， 例如硅、锗、硒以及一些硫化物等都是半导体。 一、 本征半导体（纯净半导体） 本征半导体的导电性： 二、 杂质半导体 二、 杂质半导体 综上所述： (1)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。其中电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。 (2)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子，此外还有不参加导电的负离子。 (3)杂质半导体中，多子浓度决定于杂质浓度，少子由本征激发产生，其浓度与温度有关。 7.2 PN结的形成及其单向导电性 一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性 (2) PN 结加反向电压（反向偏置） (2) PN 结加反向电压（反向偏置） 7.3.1 半导体二极管 半导体二极管实物图片 二、 伏安特性 三、 主要参数 四、应用: 7.3.2 稳压二极管 3. 主要参数 7.4 半导体三极管 一. 基本结构 二、 电流放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 三、 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 四、 主要参数 1. 电流放大系数，? 五、半导体三极管应用 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极放大电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 输出特性曲线通常分三个工作区： IC mA UCE IB EC V + – – + IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，IC ≠?IB ，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 静态电流放大系数 动态电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 2. 集-基极反向饱和电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3. 集-射极穿透电流ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4. 集电极最大允许电流 ICM 5. 集-射极反向击穿电压UCEO (BR) 集电极电流 IC超过一定