7-测量学与缺陷检查答题.ppt

十一. 接触角度 接触角度仪用于测量液体与硅片表面的粘附性，并计算表面能或粘附性力。这种测量表征了硅片表面的参数，比如疏水性、清洁度、光洁度和粘附性（见图5.5）。 接触角 接触角 小滴 衬底 视频光学接触角测量仪 7.3 分析设备 本节介绍支持硅片生产的主要分析设备，这些分析仪提供高度精确的硅片测量，它们通常位于生产区外的实验室，以决决生产问题。 ● 二次离子质谱仪（SIMS） Second Ion Mass Spectrometer ● 飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS） Time of Flying-SIMS ● 原子力显微镜（AFM） Atom Force Microscopy ● 俄歇电子能谱仪（AES） Auger Electron Spectrometer ● X射线光电能谱仪（XPS） X-ray Photoelectron Spectrometer ● 透射电子显微镜（TEM） Transmission Electron Microscopy ● 能量弥散谱仪（EDX）和波长弥散谱仪（WDX） ● 聚焦离子束（FIB） Focusing Ion Beam 一. 二次离子质谱仪 二次离子质谱仪由离子源、质量分析器和离子探测器组成。它的基本原理是在超真空状况下用高能量离子或中子束轰击试样表面然后分析所产生的二次离子成份和含量。 在电场下聚焦的高能离子束被引导在分析样品表面微区上扫描。 在扫描中溅射出来的粒子含量和速率取决于高能离子的能量、质量及强度、以及样品本身的物理化学性质。 溅射出来的粒子中只有小部分被电离而形成二次离子质谱分析中的二次离子。 由此产生的二次离子在加速到质谱仪的过程中按照它们的质量与电荷比率分离出来。 在此过程中所收集的二次离子的密度被转换成浓度曲线。 二次离子质谱分析能够分辨元素周期表中的所有元素、包括他们的同位素。 二次离子质谱分析对大多数元素的灵敏度可达百万分之一以下、某些元素可达十亿分之一以下。 二次离子质谱分析的主要特征是： *探测从H到U的所有元素 *微量元素分析达到0.1ppb-0.1ppm的水平 *依据标样的定量分析 *深度分辨率~ 10nm * 小区域分析(25um) *单层深度信息 *同位素测量 当样品表面逐渐地被入射离子束侵蚀剥离时、记录下的二次离子连续谱线则形成从样品表面的深度剖面。 二次离子强度可通过由标样测定获得的转换系数进行校准。 样品刻蚀深度则通过轮廓曲线仪测定。。二者所共同产生的结果便是二次离子质谱分析的深度剖面。 SIMS可以鉴别出剂量和结深同时指出结出任何不满足要求的金属杂质，因此成为验证离子注入机性能的主要工具。 SIMS的缺点 （1）受质量因素的干扰； （2）离子产率受基质的影响； （3）离子产率变化较大，可达106的差异； （4）需要各种标准品来作定量分析； （5）需要平坦的表面进行分析； （6）因为离子束比电子束具有更大的动能，撞击材料表面时会造成溅射（Sputtering），容易造成表面的改变或破损，属于破坏性的分析技术。 TOF-SIMS：飞行时间二次离子质谱仪 二. 原子力显微镜 它的工作原理是将一个对微弱力及敏感的微悬臂（cantilever）一端固定，另一端有一微小的针尖与样品的表面轻轻接触。由于针尖尖端原子与样品表面原子间存在及微弱的排斥力，即原子范德华力（10-8_10-6 N），通过悬臂另一端的压电驱动部件，在扫描时控制这种力的恒定，带有针尖的微悬臂将对应于针尖与样品表面原子间作用力的等位面而在垂直于样品的表面方向起伏运动。 。激光束从探针针尖顶上的表面反射，直接照到光敏二极管上。，可以测得微悬臂对应于扫描各点的位置变化，产生表面形貌的电子图形。 原子力显微镜（AFM）是一种表面形貌仪。用一个较小的平衡探针头扫描硅片表面产生三维的表面图形。 AFM：原子力显微镜 原子力显微镜及图像 三. 俄歇电子能谱仪 俄歇电子能谱仪（AES）测量入射电子束照射样本时，样本表面发射的俄歇电子的能量。俄歇电子只占样本中产生的总电子量的一小部分（0.1%）。 俄歇电子的能量提供了母体原子的情况，主要用于样本元素的识别。俄歇过程至少有两个能级和三个电子参与，所以氢原子和氦原子不能产生俄歇电子，也就是说H和He元素不能被探测。 俄歇电子易于被样本吸收，只有表面外部单层的电子逃逸并别检测，使得俄歇技术特别适合分析通常是2nm厚的材料表面。 俄歇电子能谱仪及谱图 四. X射线光电