16-刻蚀答题.pptVIP

不同深度的接触孔刻蚀 接触孔 S D G Figure 16.28 硅的干法腐蚀: CF4 多晶硅导体长度 多晶硅栅 栅氧 栅长确定沟道长度并定义源漏电极的边界 Drain Source Gate Figure 16.29 多晶硅栅刻蚀步骤 1. 预刻蚀：去除自然氧化层和表面污染物； 2. 主刻蚀：在不损伤栅氧化层的条件下，刻蚀大部分的多晶硅膜； 3. 过刻蚀：去除残留物和剩余多晶硅。 在多晶硅刻蚀中不期望的微槽 Substrate Poly Resist Gate oxide Ions Trench in gate oxide 硅氧化层选择比：大于150:1 去残留物过刻蚀比：大于250:1 硅槽：STI 、垂直电容硅槽的刻蚀 Figure 16.31 金属刻蚀的主要要求 1. 高刻蚀速率 (1000 nm/min). 2. 对下面层的高选择比，对掩蔽层 (4:1)，层间介质层 (20:1). 3. 高均匀性，且CD控制好，没有微负载效应 (8% at any location on the wafer). 4. 没有等离子体诱导充电带来的器件损伤. 5. 残留污染物少 (e.g., 铜残留物、显影液侵蚀和表面缺陷). 6. 快速去胶，通常是在一个专用的去胶腔体中进行，不会带来残留物污染. 7. 不会腐蚀金属. 第十六章 刻蚀：16.5.3 金属干法刻蚀 Figure 16.32 刻蚀金属复合膜典型步骤 1. 去除自然氧化层的预刻蚀. 2. 刻蚀ARC 层 (可能与上步结合） 3. 主刻蚀：刻铝. 4. 过刻蚀：去除残留物，可能是主刻蚀的延续. 5. 阻挡层刻蚀. 6. 防止侵蚀残留物的选择性去除. 7. 去除光刻胶. 钨的反刻 Metal-2 stack (d) Metal-2 deposition Tungsten plug (a) Via etch through ILD-2 (SiO2) Metal-1 stack ILD-2 ILD-1 Via SiO2 (c) Tungsten etchback SiO2 Tungsten plug (b) Tungsten CVD via fill Tungsten Figure 16.33 16.6 湿法腐蚀 Wet Etch Parameters Types of Wet Etch Wet Oxide Etch Wet Chemical Strips 湿法腐蚀参数 Table 16.7 氧化层腐蚀速率 BHF 25° C Table 16.8 湿法腐蚀 非关键尺寸中 腐蚀残胶影响腐蚀进行 各向同性 SiO2 HF腐蚀 KOH在100晶向的腐蚀速率比111晶向快100倍 (100)晶面与（111）晶面的夹角：54.7° 16.7 刻蚀技术的发展 多晶硅刻蚀技术的发展 16.8 去除光刻胶 等离子去胶 去胶机概述 等离子体损伤 去除残留物 去胶机中氧原子与光刻胶的反应 Substrate Resist Asher reaction chamber 2) O2 dissociates into atomic oxygen 3) Plasma energy turns oxygen into + ions 4) Neutral O and O+ react with C and H atoms in resist Neutral oxygen radicals 5) By-product desorption 6) By-product removal Exhaust Gas delivery Downstream Plasma 1) O2 molecules enter chamber + + + + + + + l l + Figure 16.34 过刻蚀通孔覆盖物 通孔 覆盖物 聚合物残渣 Figure 16.35 第十六章 刻蚀：16.9 刻蚀检查 刻蚀工艺最后一步就是进行刻蚀检查以确保刻蚀质量，在刻蚀和去胶完成之后进行； 最重要的检查之一是对特殊掩蔽层的检查，以确保关键尺寸正确。 第十六章 刻蚀：16.10 刻蚀质量测量 刻蚀质量测量： 1、关键尺寸偏差； 2、金属腐蚀； 3、刻蚀后的侧壁污染物； 4、负载效应； 5、金属刻蚀后的短路； 6、刻蚀后过多的残留物。 第十六章 刻蚀：16.11 检查与故障排除 干法刻蚀检查及故障排除： 1、刻蚀速率不对； 2、选择比不够； 3、侧壁角度不合适； 4、片内刻蚀不均匀； 5、等离子体损伤； 6、颗粒沾污； 7、金属侵蚀。 * * 第十六章 刻蚀 学习目标： 1、刻蚀的9个重要参数； 2、解释干法刻蚀，包括它的