第三讲电力电子器件2课件.ppt

电 力 电 子 技 术 Power Electronic Technology 3.1 概述 晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代 20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位 晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型——普通晶闸管。广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件 3.2 晶闸管的结构与工作原理 图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 3.2 晶闸管的结构与工作原理 3.2 晶闸管的结构与工作原理 3.2 晶闸管的结构与工作原理 Ic1=?1IA + ICBO1（1-1） Ic2=?2IK + ICBO2（1-2） IK=IA+IG （1-3） IA=Ic1+Ic2 （1-4） 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式（1-1）-（1-4）可得 （1-5） 3.2 晶闸管的结构与工作原理 晶体管的特性是：在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和 开通（门极触发）：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA（阳极电流）将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。 3.2 晶闸管的结构与工作原理 其他几种可能导通的情况： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光直接照射硅片，即光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段,其它都因不易控制而难以应用于实践 3.3 晶闸管的基本特性 静态特性 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 3.3 晶闸管的基本特性 晶闸管的阳极伏安特性 第I象限的是正向特性 第III象限的是反向特性 3.3 晶闸管的基本特性 导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性 阴极(K)是晶闸管主电路与控制电路的公共端 晶闸管的门极触发电流是通过触发电路在门极(G)和阴极(K)之间施加触发电压，而产生的触发电流从门极流入晶闸管，从阴极流出 3.3 晶闸管的基本特性 UDRM、URRM—正、反向断态重复峰值电压； UDSM、URSM—正、反向断态不重复峰值电压； 门极断开，元件处于额定结温时，正向阳极电压为正向阻断不重复峰值电压UDSM（此电压不可连续施加）的90％所对应的电压称为正向重复峰值电压UDRM（此电压可重复施加，其重复频率为50Hz，每次持续时间不大于10ms）。元件承受反向电压时，阳极电压为反向不重复峰值电压URSM的90％所对应的电压，称为反向重复峰值电压URRM。 3.3 晶闸管的基本特性 开通过程 延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间 上升时间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间 普通晶闸管延迟时间为0.5-1.5?s，上升时间为0.5-3?s 开通时间tgt包括延迟时间td与上升时间tr，即 tgt=td+tr （1-6） 3.3 晶闸管的基本特性 关断过程 反向阻断恢复时间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间 正向阻断恢复时间tgr：晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间 关断时间tq：包括反向阻断恢复时间trr与正向阻断恢复时间tgr，即 tq=trr+tgr （1-7） 普通晶闸管的关断时间约几百微秒。 3.4