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* 简并半导体在重掺杂时的禁带变窄效应 E g(E) 导带 价带 Eg 施主能级 非简并半导体 简并半导体 E g(E) 导带 价带 Eg 施主能级 Eg` * * * n0p0，这时的过渡区接近于强电离区。 多数载流子（多子） n0 少数载流子（少子） p0 显然 Carriers Concentration of Impurity-Doped Semiconductors Carriers Concentration of Impurity-Doped Semiconductors 3、高温本征激发区 （1）杂质全电离 nD+=ND （2）本征激发的载流子浓度剧增n0 ND 电中性条件： n0=ND+p0? p0 特征 Carriers Concentration of Impurity-Doped Semiconductors Carriers Concentration of Impurity-Doped Semiconductors 杂质离化区 过渡区 本征激发区  n0=nD+ n0=ND+p0 n0=p0= ni Carriers Concentration of Impurity-Doped Semiconductors 4. p型半导体的载流子浓度 低温弱电离区： 强电离（饱和区）： 过渡区： 高温本征激发区；（同前） 讨论： 杂质半导体的载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度所决定。 ( 与本征区别) 对于杂质浓度一定的半导体，随着温度的升高，载流子则是从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程，EF从杂质能级附近→禁带中线处。 温度一定时，费米能级的位置由杂质的种类和浓度决定，费米能级的位置反映导电类型和掺杂水平。(图3-13) 不同掺杂情况下的费米能级 电子填充水平最低，EF最低 过渡区 导带电子来源于全部杂质电离和部分本征激发 强电离（饱和） 导带电子浓度等于施主浓度 高温本征激发区 n0ND p0ND 同上 中间电离 导带电子从施主电离产生 p0=0 n0= 弱电离 导带电子从施主电离产生 费米能级 载流子浓度 电中性 特征 * 少数载流子： n型半导体中的空穴，p型半导体中的电子 少数载流子浓度(强电离区为例) 知少数载流子浓度随温度迅速变化； * 少数载流子与温度的关系 * 3.5 一般情况下载流子统计分布 一般情况的电中性条件 同时含一种施主杂质和一种受主杂质 同时含若干种施主杂志和若干种受主杂质 * 同样可以按如下温区进行讨论， ? 低温弱电离区（部分电离区）； ? 强电离区（非本征区）； ? 过渡区； ? 高温本征区； 下面讨论NDNA的半导体情况。 * NDNA情况（含少量受主杂质的n型半导体） ⒈杂质弱电离情况下： NDNA，则受主完全电离，pA=0 由于本征激发可以忽略(p0=0)，则电中性条件为 则有 施主杂质未完全电离情况下载流子浓度的普遍公式 * 讨论: ⑴ 极低温区电离情况，假定NDNA 在极低的温度下，电离施主提供的电子，除了填满NA个受主以外，激发到导带的电子只是极少数，即n0NA，于是有： 将其代入电子浓度公式中，得出费米能级EF为 在这种情况下，当温度趋向于0K时，EF与ED重合。在极低的温度范围内，随着温度的升高，费米能级线性地上升. * 这种情况与只含一种施主杂质ND时一致，这种条件下，施主主要是向导带提供电子，少量受主的作用可以忽略，此时费米能级也在施主能级ED之上变化。 ⑵当温度继续上升,进入NAN’cND的温度范围内 (3-85)式简化为 此时的费米能级的为: * ⒉杂质饱和电离情况: 当温度升高使施主全部电离，所提供的ND个电子，除了填满NA个受主外,其余全部激发到导带，半导体进入饱和电离区（强电离区），本征激发可忽略。电中性条件: 费米能级在ED之下 由n0p0=ni2得出空穴浓度 在杂质饱和电离区，有补偿的N型半导体的载流子浓度和费米能级公式，同只含一种施主杂质的N型半导体对应的公式具有相同的形式,但用有效施主浓度ND-NA代替了ND． * ⒊过渡区（杂质饱和电离——本征激发） 当温度继续升高，是本征激发也成为载流子的重要来源时，半导体进入了过渡区，电中性条件为： 将上式与 联立，得到电子和空穴浓度为： 该形式与一种杂质半导体的过渡区载流子浓度公式相似，只不过把ND换为有效杂质浓度ND-NA而已。 * 此时的费米能级为：