华南理工大学半导体物理第六章课件概要.ppt

根据量子力学中的结论，x=d0处导带底电子通过隧道效应贯穿势垒的隧道概率为 有外加电压时，势垒宽度为d，表面势为[(Vs)0+V]，则隧道概率 隧道电流与隧道概率成正比 进而可得到 第六章 半导体表面及界面特性 6.1 半导体表面态 6.2 表面电场效应 6.3 空间电荷区的进一步分析 6.4 金属与半导体接触的物理特性 6.5 金属与半导体接触的电流-电压特性 6.6 MIS结构的电容-电压特性 Thank you for listening 若D小到可以与原子间距相比较 若WmWs，半导体表面形成正的空间电荷区，电场由体内指向表面，Vs0，形成表面势垒（阻挡层）。 若WmWs，半导体表面形成负的空间电荷区，电场由表面指向体内，Vs0。形成高电导区（反阻挡层）。 表面态对接触电势的影响 实验表明：不同金属的功函数虽然相差很大，但与半导体接触时形成的势垒高度却相差很小。 原因：半导体表面存在表面态。 表面态分为施主型和受主型。表面态在半导体表面禁带中呈现一定分布，表面处存在一个距离价带顶为qФ0的能级。电子正好填满qФ0以下所有的表面态时，表面呈电中性。若qФ0以下表面态为空，表面带正电，呈现施主型；qФ0以上表面态被电子填充，表面带负电，呈现受主型。对于大多数半导体，qФ0越为禁带宽度的三分之一。 若n型半导体存在表面态，费米能级高于qФ0，表面态为受主型，表面处出现正的空间电荷区，形成电子势垒。势垒高度qVD恰好使表面态上的负电荷与势垒区的正电荷相等。 高表面态密度钉扎（pinned） 存在表面态即使不与金属接触，表面也形成势垒。 当半导体的表面态密度很高时，可以屏蔽金属接触的影响，使半导体内的势垒高度和金属的功函数几乎无关，有半导体表面性质决定。 第六章 半导体表面及界面特性 6.1 半导体表面态 6.2 表面电场效应 6.3 空间电荷区的进一步分析 6.4 金属与半导体接触的物理特性 6.5 金属与半导体接触的电流-电压特性 6.6 MIS结构的电容-电压特性 扩散理论 当势垒宽度大于电子的平均自由程，电子通过势垒要经过多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。（耗尽层近似） 泊松方程 边界条件 可得 外加电压于金属，则 可得势垒宽度 电流密度方程 代入爱因斯坦关系，并整理得 在x=0到x=xd对上式积分，求解可得 当V0时，若qVk0T，则 当V0时，若|qV|k0T，则 该理论是用于迁移率较小，平均自由程较短的半导体，如氧化亚铜。 热电子发射理论 当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度。起作用的是势垒高度而不是势垒宽度。电流的计算归结为超越势垒的载流子数目。 假定，由于越过势垒的电子数只占半导体总电子数很少一部分，故半导体内的电子浓度可以视为常数。 讨论非简并半导体的情况。 半导体单位体积能量在E~E+dE范围内的电子数 若v为电子运动的速率，则 带入上式，并利用 可得 单位体积内，速率vx~vx+dvx，vy~vy+dvy，vz~vz+dvz范围内的电子数 显然单位面积而言，大小为vx的体积内，上述速度范围的电子都可以达到金属和半导体界面。 达到界面的电子要越过势垒，必须满足 所需要的x方向的最小速度 若规定电流的正方向是从金属到半导体，则从半导体到金属的电子流所形成的电流密度为 其中理查逊常数 电子从金属到半导体所面临的势垒高度不随外加电压而变化，所以为常量，与热平衡条件下，即V=0时的Js-m大小相等，方向相反。 总电流密度 Ge、Si、GaAs有较高的载流子迁移率，有较大的平均自由程，因此在室温下主要是多数载流子的热电子发射。 肖特基势垒二极管 与pn结的相同点： 单向导电性 。 与pn结的不同点： pn结正向电流为非平衡少子扩散形成的电流,有显著的电荷存储效应；肖特基势垒二极管的正向电流主要是半导体多数载流子进入金属形成的，是多子器件，无积累，因此高频特性更好； 肖特基二极管JsD和JsT比pn结反向饱和电流Js大得多。因此肖特基二极管由较低的正向导通电压。 用途：钳位二极管(提高电路速度)等。 少数载流子的注入 n型阻挡层，体内电子浓度为n0，接触面处的电子浓度是 电子的阻挡层就是空穴积累层。在势垒区，空穴的浓度在表面处最大。体内空穴浓度为p0，则表面浓度为 加正压时，势垒降低，形成自外向内的空穴流，形成的电流与电子电流方向一致。 空穴电流大小，取决于阻挡层的空穴浓度。 平衡时，如果接触面处有 此时若有外加电压，p(0)将超过n0，则空穴电流的贡献就很重要了。 加正向电压时，少数载流子电流与总电流值比称为少数载流子的注入比，用γ表示。 加正电压时，势垒两边界处的电