第二章电力电子器件课件.pptVIP

本章要求及重点 了解电力电子器件分类与应用； 理解和掌握晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR或BJT)、电力场效应晶体管(电力MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等常用的电力电子器件的工作机理、电气特性和主要参数。 重点：各种电力电子器件原理、性能上的不同点，各自应用的场合。 不可控器件—功率二极管 2.1.1 PN结与功率二极管的工作原理 2.1.2 功率二极管的基本特性 2.1.3 功率二极管的主要参数 2.1.4 功率二极管的主要类型 N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。 2. 动态特性 关断过程： 须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态 在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲 电力二极管的基本特性 延迟时间：td= t1- t0, 电流下降时间：tf= t2- t1 2.2半控型器件—晶闸管 2.2.1 晶闸管的结构与工作原理 2.2.2 晶闸管的基本特性 2.2.3 晶闸管的主要参数 2.2.4 晶闸管的派生器件 常用晶闸管的结构 1) 正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。 2) 反向特性 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏。 2. 动态特性 1) 开通过程 延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。 上升时间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。 开通时间tgt以上两者之和， tgt=td+ tr 普通晶闸管延迟时为0.5~1.5?s，上升时间为0.5~3?s。 2) 关断过程 反向阻断恢复时间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间 正向阻断恢复时间tgr：晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间 在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通。 实际应用中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作。 关断时间tq：trr与tgr之和，即 tq=trr+tgr 普通晶闸管的关断时间约几百微秒。 晶闸管的主要参数 2. 电流定额 晶闸管的主要参数 晶闸管的主要参数 3. 动态参数 光控晶闸管的等效电路 典型全控型器件 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代。 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 (1) 缓冲电路 吸收过电压的有效方法是在器件两端并联一个吸收过电压的阻容电路。 如果吸收电路元器件的参数选择不当，或连线过长造成分布电感LS过大等，也可能产生严重的过电压。 (2) 缓冲电路元件的选择 应选取较小的RS，RS的阻值一般应选取10Ω～20Ω 。RS不应选用线绕式的，而应是涂膜工艺制作的无感电阻。 要求二极管VDS能快速开通、反向恢复时间trr短和反向恢复电荷Qr尽量小。 吸收电路中的CS也应当是无感元件，以尽可能减小吸收电路的杂散分布电感LS。 2）电力MOSFET的结构 小功率MOS管是横向导电器件 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）——大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论 4. 安全工作区 Power MOSFET的过载能力较低，为了保证器件安全工作，且有较高的稳定性和较长的寿命，器件承受的电流、电压和功率有一定的限制。 这种限制用Uds—ID坐标平面表示，便构成Power MOSFET的安全工作区(Saf