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- 2017-03-11 发布于浙江
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对于P型半导体和N型半导体结合面,离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层。 3.2.3 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏;反之称为加反向电压,简称反偏。 (1) PN结加正向电压时 低电阻 大的正向扩散电流 外加的正向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流,可忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性。 (动画2-4) 图3.07 PN结加正向电压 时的导电情况 3.2.3 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏;反之称为加反向电压,简称反偏。 (2) PN结加反向电压时 高电阻 很小的反向漂移电流 外加的反向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性。 在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称
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