集成电路设计第6部分课件.pptVIP

快速热处理器RTP 本次课主要内容 RTP系统的结构设计 RTP系统温度控制的解决方案 RTP处理晶圆杂质的激活 RTP处理介质的快速热加工 RTP形成硅化物和金属接触 快速热处理器 RTP是一种单片处理工艺，应用这种工艺，可极快的升降热处理温度，其速率为75-200℃/sec，而炉管1℃/sec。 RTP可在几秒之内将一片硅片从室温升到1100℃。 相比于炉管，它具有很多优越性： 更少的热预算。 更高的热处理温度。 更好的热处理环境控制。 更短的加工时间。 更加方便的加工设备群聚等。 快速热处理器 在离子注入后的退火及激活，钛及钨硅化物的退火及激活，快速热氧化生长超薄氧化层等一些应用中具有很大的优越性。 RTP在300毫米硅片、0.18um征尺寸的产品加工中有广泛需求。 快速热处理发展的原因 注入后的退火，在低温下的效果不如高温时那样有效，达不到高温，一些类型的注入损伤不能被退火消除。 为完全激活一些杂质，所需的退火温度要达到1000℃。 在同样温度下缩短退火时间可以减少杂质扩散。由于炉管中晶圆是从边缘开始向中心加热，难以适应短时间退火工艺。 快速热处理发展的原因 为避免过大温度梯度造成晶圆翘曲变形，需要缓慢的升温和降温。 但长时间的升降温度也会造成明显的杂质扩散。 这些问题导致了单片处理大晶圆工艺，以提高均匀性和重复性。快速热处理通过降低温度和缩短时间或者只是缩短时间的方式使处理工艺的热预算减到最小。 RTP的分类--绝热型 RTP工艺根据加热类型分为: 绝热型；热流型；等温型。 第一台RTP就是绝热型热源，脉冲长度比衬底的热时间常数短，宽束灯的快速脉冲只加热晶圆的正表面（几微米）。 绝热型设备的热源通常是宽束相干光源——准分子激光器。 这种退火系统在相同温度下所需加热时间最短。 缺点是：绝热型RTP的温度和退火时间控制比较困难，纵向的温度梯度大，设备成本高。 热流型RTP 系统采用高强度点光源（电子束、聚焦激光）对整个晶圆进行扫描。 扫描周期必须比晶圆的热时间常数短，否则会造成横向的热梯度过大。 横向的热不均匀性导致晶圆缺陷剧增，甚至不能用于IC工艺处理。 等温型RTP 等温型RTP系统采用宽束辐射加热晶圆。一般采用非相干光源，如：一组钨-卤灯。 在晶圆的横向和纵向上引起的温度梯度基本上是最小的。 由于石英材料的化学稳定性，选择其作为等温型系统的晶圆支架。 等温型RTP又称为热隔离型系统 。广泛应用于商业半导体制程系统。 高强度光源和反应腔设计 大部分等温型系统采用钨-卤灯或者惰性气体长弧放电灯作为能源。 钨卤灯包含一个在石英罩中的紧密缠绕的螺旋形钨灯丝，螺旋形绕丝增加了灯的表面积，提高了辐射效率。 螺旋灯丝可以是直线形，在灯泡的两端各带一个接头，也可以做成单端接头的形状。 灯的石英罩中充有卤化气体，常用的石PNBr2。 高强度光源和反应腔设计（续） 钨-卤灯 钨从加热的灯丝中挥发出来， 淀积到灯罩壁上。 灯罩壁上加热时，卤化气体和钨反应生成可挥发的卤化钨，卤化钨扩散到更热的灯丝上时发生分解，重新将钨淀积到灯丝上。 灯罩壁上的钨淀积得越多，石英加热越快，使消耗钨的速度加快，该反应机制避免了钨的过量堆积。 高强度光源和反应腔设计（续） 钨-卤灯（续） 钨-卤灯像黑体一样发出辐射，大部分辐射波长落在0.8～4.0 μm。 例：150mm晶圆加热到1100℃，硅的辐射率大约为0.7。钨卤灯的总出射度大约为2.5kW。钨灯消耗的电能大约为每厘米发光长度100W，由于电能只有部分转化为光能且只有一部分辐射光能被晶圆片收集。需要15 ～30个8英寸的钨-卤灯来加热。 惰性气体长弧放电灯 惰性气体长弧放电灯包含两个密封在石英罩中的难熔金属电极，石英罩中充有惰性气体，如氪或氙气。 电极间距、灯罩内径、气体成分和气压，决定气体的放电特性。 用高压脉冲（2kV/cm）点火时，惰性气体被离化，建立一个直流导电通道。 在可见光光谱辐射强烈，光谱包括一个温度非常高的电子等离子体、所充气体多种电子跃迁的 分离线谱。 惰性气体长弧放电灯（续） 放电灯消耗的能量最多为每厘米发光长度700W，电光转换效率约45%。 承受这样高的功率密度，大功率放电灯必须用水冷却。特别小心确保石英与金属之间的封口、金属电极保持冷却。 例：150mm晶圆片加热到1100℃，硅的辐射率大约为0.7。需要2～4个8英寸放电灯。 惰性气体长弧放电灯（续） 放电灯需要水冷，为点火需要必须使灯绝缘。限制了放电灯在功率方面的优势。 放电灯必须使用昂贵的稳压直流电源，不像钨卤灯可以工作在一个简单线电压下（60Hz）。 高强度光源和反应腔设计（续） 改变反应腔的几何形状优化能量收集效率。反应腔还必须使晶圆获得并保持均匀温度。 反射腔设计： 晶圆放在一个石英炉管中