集成电路设计第7部分课件.pptVIP

光学光刻技术 本次课主要内容 光学光刻工艺的掩模 光学光刻工艺的光源与发展 两种光学光刻机原理与实现 光学曝光工艺中的影响因数 光学光刻技术的最新发展 一.芯片制造过程 首先定义芯片功能，如果功能复杂，需要分几个层次的次级功能。 次级功能块铺放在平面图上，平面图为设计分配芯片上的空间。 构建芯片的高层次模型进行功能检验，得到性能评估。 芯片制造过程（续） 根据客户端设计所需要的软件把预先设计好的电路单元组装为芯片。 设计完成后需要按版图规则检查，确保符合版图规则。 从实际版图出发再次进行模拟、修改直至符合要求。 IC设计流程图 设计规则制定 设计规则制定 设计规则由制造厂和设计者之间约定。 每一层版图，设计规则都规定：允许的最小特征尺寸、最小间隔、该层图与其他图层的最小覆盖、与下面层图形的最小间隔。 遵照这些规则，制造厂商负责保证达到芯片所设计的功能。 光刻掩模 掩模可以与完成的芯片有相同的尺寸或是该尺寸的整数倍。通常缩小倍数为5倍或者10倍。 掩模是150mm～225mm的正方形，制作在不同类型的石英玻璃上。性能要求：曝光波长下的高透光度、小的热膨胀系数、平坦的精细抛光面。 石英上有一层不透光的形成图形的铬膜，通过图形和数据库对比检查，多余的铬膜用激光剥离，增补的铬膜用额外淀积方式修补。 光刻掩模 光刻掩模（续） 光刻占整个IC成本的三成，而且随着线条的越来越窄，所占百分比例还在增加。 典型的硅工艺有15～20块掩模，双极COMS到28块掩模。GaAs工艺掩模较少，也是成增加趋势。 工艺性能按照工艺线条宽度的能力来预测，但是光刻工艺很难准确评价。 光学曝光系统 光学曝光系统 光源发出透过掩模的光。 掩模上的图形投影到晶圆表面，晶圆表面有一层光敏材料——光刻胶。 光学光刻可以分为两部分： 曝光工具在晶圆表面产生掩模图形，曝光工具的设计和工作是光学系统设计的主要问题。 化学过程，辐照的图形被光刻胶吸收。图形被显影时，都是化学反应。 可用的光源有：可见光、紫外光（UV）、深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）、准分子激光等。 曝光系统不仅复制单个图形，还需要和前一层图形进行对准——曝光系统又称为对准机。 对准机 对准机主要有三个指标： 分辨率：可以曝光出来的最小尺寸——可分辨的且仍能保持一定尺寸容差的最小特征尺寸，典型值是线宽分布三倍标准偏差值不超过线宽的10%。依赖光刻胶依据实像重建图形的能力。 对准度：层间套刻精度的度量，由系统精确定位对准记号的能力决定，取决于所用对准记号和晶圆表面薄膜的性质。 产量：由于工业生产的需要，系统的产量要求较高。 芯片质量影响参数 曝光工艺和晶圆 不同的晶圆对曝光工艺的要求不同。 硅工艺中要求光刻工具的对准3σ值应为最小特征尺寸的1/3。要求产量较高，工艺均匀性较好。 砷化镓工艺，对光刻工具的产量和对准要求稍低，但需要很好的分辨率。 有时不同层之间还需要采取不同的参数要求、不同的曝光工具——混合和匹配光刻（mix and match lithography） 二.光源系统和空间相干 光源系统包括：发光器件以及收集、准直、滤波、聚焦等反射/折射光学系统。 由光学基本知识可知，曝光辐照的波长是光刻工艺的关键参数，波长越短，可曝光的特征尺寸越小。 曝光工艺要求光源波长短、能量高，曝光光能均匀的分布在晶圆上。 常用光源 常用光刻光源是高压弧光灯，可得到最亮非相干光源。 高压弧光灯包括两个密封在石英外壳内的导电电极，一个针尖电极、一个圆弧电极，电极间距5mm左右。 包含汞蒸汽、冷却状态时的灯内压力接近1atm。 在电极间加一个高压电脉冲，冲击电压是几千伏，电离汞蒸汽，形成等离子体。 常用光源 常用光源 弧光灯的供电电源是升压电源，保证放电后等离子体的稳定性，点亮以后灯内压力可达40atm，耗电500～1000W。 弧光灯有两个发光光源： 电弧中的高温电子作为高热灰体辐射源，电子在灯中的温度到40000K，相当于波长75nm的峰值发射，为深紫外光。这种发射超过了灯壳——石英的禁带宽度，会被吸收。 汞原子和高能电子碰撞，使汞原子的电子进入高能态，产生能带跃迁发光。其发光光谱非常尖锐，对准机常取某一单线用来进行曝光工艺。 跃迁发光光谱 高压短电弧灯的缺陷 工作时高压汞离子轰击负电极，溅射出电极材料，涂敷在石英玻璃壳的内壁。 灯内壁的高温使石英玻璃慢慢失透，留下白雾形貌。溅射和失透减弱输出强度使灯壁更热。 电弧灯易于爆裂而失效，会严重损坏对准光学系统。 对准机的灯需要电扇冷却，短时间使用就需要更换。 实用光学系统设计 实用光学系统设计有四个要求： 收集尽可能多的光辐照，缩短曝光时间。 整个曝光场辐照强度必须均匀，以避免晶圆一部分过度曝光，而另一部分又曝光不足。