半导体器件实验-微电子学院微电子实验教学中心-西安电子科技大学.doc

《半导体器件实验》教学大纲 课程编号：MI4221016 课程名称：半导体器件实验 英文名称：Experiments of Semiconductor Devices 学时： 学分： 课程类别：限选 课程性质：专业课 适用专业：微电子学 先修课程：双极型器件物理和场效应器件物理 开课学期：6 开课院系：微电子学院 一、课程的教学目标与任务 目标：培养学生独立完成微电子器件参数测试与应用方面的实践动手能力，巩固和强化学生半导体器件相关知识，提升学生在微电子技术领域的竞争力，培养学生灵活运用理论知识解决实际问题的能力，锻炼学生分析、探讨和总结实验结果的能力。 任务：在理论课程的学习基础上，通过大量实验，熟练掌握与微电子器件参数相关的实验手段和测试技术。课程以教师讲解，学生实际动手操作以及师生讨论的形式实施。 二、本课程与其它课程的联系和分工 本课程是在学习了《双极型器件物理》和《场效应器件物理》等理论课程后实施的一门面向微电子学专业的重要实践课程。 三、课程内容及基本要求 本实验要求学生掌握微电子器件参数测试与应用技术，共设置个实验。 （一）器件解剖分析学时 具体内容：对已解剖的晶体管，观测并绘制其内部元器件结构图形，分析结构特点和设计思路。 1.基本要求 （1）通过解剖后的器件观测，了解常用器件的内部结构。 2.重点、难点 重点：器件结构； 难点：版图观测。 3.说明：熟悉器件的解剖。 （二）MOS场效应晶体管Kp、F的测试学时 具体内容：使用超高频信号发生器、接收器和直流偏置电源实现对MOSFET晶体管样管功率增益Kp、噪声系数F的测试，观察并绘制Kp、F分别随工作电流、工作电压的变化关系，并对实验结果进行分析。 1.基本要求 （1）掌握MOS场效应晶体管功率增益Kp、噪声系数F的测试原理； （2）学习超高频信号发生器、接收器和直流偏置电源的使用方法。 2.重点、难点 重点：MOS场效应晶体管功率增益Kp、噪声系数F的测试原理； 难点：相应实验仪器的使用。 3.说明：学习MOS场效应晶体管的高频交流参数Kp、F的测试方法。 （三）双极晶体管功率增益及噪声系数的测试学时 具体内容：测试双极晶体管功率增益、噪声系数，分析噪声来源，观察功率增益、噪声系数随工作电流，工作电压的变化关系，分析实验结果。 1.基本要求 （1）掌握双极晶体管功率增益Kp、噪声系数F的测试原理； （2）熟悉超高频信号发生器、接收器和直流偏置电源的使用方法。 2.重点、难点 重点：双极晶体管功率增益Kp、噪声系数F的测试； 难点：相应实验仪器的使用。 3.说明：学习双极晶体管的高频交流参数Kp、F的测试方法。 （四）场效应晶体管直流、交流参数测试学时 具体内容：使用场效应晶体管跨导参数仪分别对结型场效应管和MOSFET场效应管进行直流参数和交流参数等测定，分析实验结果。 1.基本要求 （1）掌握场效应晶体管交直流参数的测试原理和方法； （2）学习场效应晶体管跨导参数仪的使用方法。 2.重点、难点 重点：被测场效应晶体管的直流和交流参数测试； 难点：各参数测试原理和仪器的正确使用。 3.说明：学习场效应晶体管交直流参数的测试方法。 （五）场效应晶体管输入电容Cgs和反馈电容Cgd的测试学时 具体内容：使用场效应晶体管电容参数测试仪对几种场效应晶体管样管进行输入电容Cgs和反馈电容Cgd的测试，并对实验结果进行分析和讨论。 1.基本要求 （1）掌握场效应晶体管输入电容Cgs和反馈电容Cgd的测试原理和方法； （2）熟悉场效应晶体管电容参数测试仪的使用方法。 2.重点、难点 重点：对几种被测管进行输入电容Cgs和反馈电容Cgd的测试； 难点：测试原理和仪器的正确使用。 3.说明：掌握场效应晶体管输入电容Cgs和反馈电容Cgd的测试方法。 （六）晶体管特征频率的测量学时 具体内容：使用晶体管特征频率测试仪测试被测样管的特征频率fT，并能根据测试结果，绘制出fT分别随工作电压Vce、工作电流IE的变化关系，并就实验结果进行分析讨论。 1.基本要求 （1）掌握晶体管特征频率fT的测试原理； （2）熟悉晶体管特征频率测试仪的使用方法。 2.重点、难点 重点：晶体管特征频率的测试，绘制fT分别随工作电压Vce、工作电流IE的变化关系； 难点：原理理解和仪器的使用。 3.说