工艺之氧化(五)12解答.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 作业题：1. 试分析(100)、(110)、(111)晶面Si衬底的氧化速率。2. 在微米级（假设1 mm）光刻工艺条件下，能否制备纳米级（100 nm）Si结构（如线条）？怎样做？试分析在不同晶面Si衬底上实施的情况。3. 为什么一般MOS集成电路多采用(100)晶面Si片？ * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 在800~1000 0C，对于(100)、(110)、(111)晶面，L分别为6.9、7.8、6.0nm 5.7.2 薄氧化层的制备 随着MOS管沟道长度不断减小，栅氧化层的厚度也要按比例减薄，这可防止短沟效应 在ULSI中，薄栅氧化层（10 nm）应满足下列关键要求 低密度缺陷 好的抗杂质扩散势垒特性 Si-SiO2界面处界面态、固定电荷密度低 在热载流子应力和辐射条件下稳定性好 低thermal budget工艺 影响薄氧化层生长的几个最重要方面： 氧化之前对Si片进行化学清洗情况 表面上亚氧化层（SiO）的形成 溶解在衬底间隙中的氧的数量 高质量薄栅氧化层制备工艺 化学清洗 高温氧化 调整栅材料 CVD和叠层氧化硅 一、化学清洗（I） 消除表面有机物、金属离子、金属原子、碱性离子等 浓H2SO4+双氧水 去除有机物，即除C 过氧化氢对有机物、非金属和大多数金属有氧化能力，使难溶变为可溶 I号液的清洗：NH4OH+H2O2+H2O 可充当络合剂作用（与许多金属离子形成可溶的络合物） 过程：吸附硅片上的金属，氧化后再络合成可溶物被去除 一、化学清洗（II） II号液的清洗: HCl+H2O2+H2O H2O2氧化，HCl络合物可溶，HCl还可和金属氧化物、活泼金属反应，生成可溶性盐 （上述第2、3步又称为RCA清洗工艺，通常会生长出10～20?的氧化层，可用稀HF去除） 二、高温栅氧化 先前的薄栅氧技术是通过降低温度来降低生长速率 高温栅氧化优点： T↑ 界面态、固定电荷↓（高温处理使界面附近的原子比例趋向于相对稳定的平衡状态，减少Si+） 提高MOSFET的电子、空穴迁移率（界面光滑） 提高器件可靠性（高温下使氧化硅黏性流动，减少界面应力） 快速热氧化（RTO）工艺成为有吸引力的替代方案 可以在合适的高温下实现短时间氧化 三、调整栅材料（I） 以化学方法引入可控的杂质量，以改进界面特性 譬如在Si-SiO2界面引入N或F 氮氧化硅（Si2N2O）材料的优点： 介电常数大，增加电流驱动能力 减少Si-SiO2界面应力 更强的抗击穿性能 极好的扩散阻挡层（MOS中，阻止高掺杂多晶硅栅中的硼到达沟道） 较低的空穴陷阱密度，并在高场应力下可减少电子陷阱产生，在X射线辐照下可减少界面态和中性陷阱产生 三、调整栅材料（II） 氮氧化工艺方法：将热生长的SiO2在NH3中或N2O中处理（如退火） NH3工艺容易造成剩余氮化诱生的电子陷阱，从而使p沟MOSFET可靠性变坏 N2O工艺可消除任何含氢物质，因此可避免与氢有关的缺点 已开发的N2O处理工艺有： 在纯N2O中的Si的氧化 在N2O中氮化热生长SiO2 在N2O中致密和氮化CVD SiO2 在NH3中N2O氧化硅的氮化，用于p+多晶硅栅的p-MOSFET 四、CVD和叠层氧化硅（I） 与热生长氧化相比，淀积氧化有以下优点： 淀积氧化几乎不受硅衬底缺陷的影响 低温工艺 淀积后N2退火的氧化膜压应力小于常规的热氧化膜 淀积后N2O退火的氧化膜与热生长SiO2相比具有更优良的载流子稳定性 叠层氧化硅由热氧化SiO2垫层和淀积SiO2顶层组成 叠层的缺陷密度减少，因各层缺陷不重合 Si-SiO2界面应力接近于零，因各层之间应力补偿。导致工艺诱生损伤大为减少 叠层中低场击穿数目大大小于常规热氧化 可优化底部热氧化层厚度与顶部淀积层厚度之比，以得到更长的击穿时间和更低的缺陷密度 四、CVD和叠层氧化硅（II） SiO2/Si3N4(ON)或SiO2/Si3N4/SiO2(ONO)叠层 各层中微孔不重合，可防早期柵介质失效 采用Si3N4增加薄膜的有效介电常数，并提高抗B透入能力 §5.8 硅的局部氧化 半等平面工艺（LOCOS） 等平面工艺 优点： 表面平整，有利于金属布线，提高电路可靠性 减少芯片面积，提高集成度（对光刻要求放宽） 水汽中1000度90分钟的模拟结果 §5.9