GBT××××—××××1GBT6616—200×前言本标准代替GBT6616.doc

前 言 本标准代替GB/T6616—1995《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》。 本标准与原标准相比，主要有如下变动： ——修改了1.中的尺寸范围； ——增加了2.中规范性引用文件的内容； ----修改了3.中的公式、增加了电导率； ——增加了4.1.1、4.1.2中的部分内容； ——修改了4.2.2中的数据； ——修改了5.1.5和5.1.6中的内容； ----修改了5.2.4、5.3.1、5.4.2中的数据； ——修改了5.3.5.2中的部分内容； ——增加了6.1.1的部分内容、增加了6.2的内容。 ----增加了6.3的内容 本标准由中国有色金属工业总公司提出。 本标准由万向硅峰电子股份有限公司负责起草。 本标准主要修改人:楼春兰、朱兴萍、方强、汪新平、戴文仙。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会负责归口。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T6616—1995半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法 主题内容与适用范围 本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层带内阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3～2×102Ω.cm和2～3×103Ω/□。 规范性引用文件 2.1 国家标准 GB/T14264-1993—半导体材料术语 GB/T11073-1989—硅片径向电阻率变化的测试方法 GB/T1552-1995—硅、锗电阻率测定 直排四探针法 GB/T14141-1993—硅外延片、扩散片和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法方法 GB/T6618-1995—硅片厚度及厚度变化的测试方法 SEMI MF673-1105 2.3 ASTM标准 E1— ASTM温度计说明书 E 691—引导多个实验室测定试验方法的惯例 方法提要 将硅片试样平插入一对共轴涡流探头（传感器）之间的固定间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流探头之间的交变磁场在硅片上感应产生涡流。为使高频震荡器的电压保持不变，需要增加激励电流，而增加的激励电流值是硅片电导的函数。通过测量激励电流的变化即可测得试样的电导。当试样厚度已知时，便可计算出试样的电阻率。 R = == …………………………………………….(1) 式中：ρ---试样的电阻率，Ω.cm； G---试样的薄层电导，S； R----试样的薄层电阻，Ω/□； t-----试样中心的厚度（测薄膜时厚度取0.0508cm），cm。 δ—电导率，Ω/cm 4. 测量装置 4.1 电学测量装置 4.1.1涡流传感器组件。由可供硅片插入的具有固定间隙的一对共轴线探头，放置硅片的支架（需保证硅片与探头轴线垂直），硅片对中装置及激励探头的高频震荡器等组成。选择一个能穿透5倍晶片或薄膜厚度能力的高频震荡器，该传感器可提供与硅片电导成正比的输出信号。涡流传感器组件的结构见图1。 上探头 对中装置 硅片 支架 振荡器 下探头