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场效应管实用知识及检测 什么是场效应管 场效应晶体管简称场效应管（FET）是一种具有PN结的半导体晶体管，属于电压控制型的半导体电子元器件。它与三级管有所不同，场效应管载流子只有空穴或者只有电子，而三极管的载流子为空穴和电子，所以场效应管又叫单极晶体管。场效应管拥有很高的输入阻抗，适合用作阻抗变换，所以多级放大器电路中常用场效应管。场效应管还可以用作电子开关、可变电阻和信号放大等。 场效应管的特点 场效应管是一种被广泛应用于电路中的电子元器件。了解场效应管的特点，对于掌握和使用场效应管来说是十分重要的。一般场效应管的主要特点包括： （1）场效应管的抗辐射能力强，场效应管的防辐射能力比普通晶体管高十倍左右。 （2）信号放大稳定性好，信号失真小。 （3）利用多数载流子导电，温度稳定性较好，并且拥有较大的动态范围。 （4）场效应管的输入端电流极小，输入阻抗高，容易驱动，输入阻抗随频率的变化比较小。输入结电容小(反馈电容)，输出端负载的变化对输入端影响小，驱动负载能力强，电源利用率高。 （5）不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 （6）普通晶体管在工作时，由于输入端加的是正向偏压，因此输入电阻是很低的，场效应管的输入端工作时可以施加负偏压即反向偏压，也可以加正向偏压，因此增加了电路设计的变通性和多样性。通常在加反向偏压时，它的输入电阻更高，场效应管的这一特性弥补了普通晶体管及电子管在某些方面应用的不足。 场效应管的分类 场效应管按结构可分为结型场效应管(JFET)、绝缘栅型场效应管(MOS管)两大类；如果按导电方式分，可分为耗尽型与增强型场效应管。 分类标准 类别 结构 结型 N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 绝缘栅型 N沟道绝缘栅 P沟道绝缘栅 导电方式 耗尽型 结型管都是耗尽型 增强型 绝缘栅型管有耗尽型也有增强型 场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时，有较大漏极电流的称为耗尽型。当栅压为零、漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。 结型场效应管也具有三个电极：栅极、漏极、源极。在其电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。绝缘栅型场效应管(MOS管) 是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。 结型场效应管的结构 N沟道结型场效应管的结构图和电路图形符号。在一块N型半导体棒两侧各做一个P型区，就形成了PN结。把两个P区并联在一起，引出一个电极，称为栅极g，在N型半导体棒的两侧引出一个电极，分别称为源极s和漏极d。夹在PN结中间的N区是电流的通道，称为沟道。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管。 耗尽层 N沟道 栅极g 栅极g 源极s 漏极d P+ 代表符号 结型场效应管的结构 P沟道结型场效应管的结构图和电路图形符号。在一块P型半导体棒两侧各做一个N型区，就形成了PN结。把两个N区并联在一起，引出一个电极，称为栅极g，在N型半导体棒的两侧引出一个电极，分别称为源极s和漏极d。夹在PN结中间的P区是电流的通道，称为沟道。这种结构的管子称为P沟道结型场效应管。 耗尽层 P沟道 栅极g 栅极g 源极s 漏极d N+ 代表符号 绝缘栅型场效应管的结构 增强型和耗尽型N沟道绝缘栅型场效应管以一块掺杂浓度较低、电阻率较高的P型硅片做衬底，其上有两个相距很近的高掺杂浓度的N区，并在其中引出两个电极，分别称为源极s和漏极d。P型硅片的表面生成一层很薄的二氧化硅绝缘层，在源极和漏极之间的绝缘层上制作一个金属电极，称为栅极g。 栅极和其他电极是绝缘的，故称为绝缘栅型场效应管。 P衬底基片 N N s g d 增强型 b 耗尽型 P衬底基片 N N s g d 导电沟道 b 场效应管的电路符号 增强型N沟道管 增强型P沟道管 耗散型N沟道管 耗散型P沟道管 场效应管的工作原理 半导体的场效应，是在半导体表面的垂直方向上加电场时，电子和空穴在表面电场作用下发生运动，半导体表面载流子重新分布，因而半导体表面的导电能力受到电场的作用而改变，即改变为加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多数载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。 假设某结型场效应管，在某电压下正常工作，当栅极g接上负偏压时，在g极附近形成耗尽层。负偏压越大，耗尽层就会越大，电流流过的沟道就会越小，而漏极的电流也会随着沟道的减小而变小。当负偏压减小时，耗尽层就会随着减小，沟道就会变宽，而漏极电流就会随着增大。漏极电流受栅极电压的控制，因此场效应管达到了控制电压的作用。 场效应管的命名规则 某些场效应管的命名通常遵循两种方法： 第一种命名方法与三极管相同，第二位字母代表制造的材料，D是P型硅，