10kV+IGBT固态脉冲调制器技术研究.pdfVIP

等离子加I技术 kV 10 IGBT固态脉冲调制器技术研究 l0kV PulseModulator ofa IGBTSolid-State Study Technique 哈尔滨工业大学焊接生产技术国家重点实验室 兰崇：葑萎量三塞鉴王浪平 [摘要]描述了一种用于材料表面改性的新技术 全方位离子注入最初是由美国威斯康辛大学J． ——等离子体浸泡式离子注入，以及它的关键设备 ——高压脉冲调制器。我们研制了1台用于材料表面 由于它消除了束线离子注入固有的直射性限制，克服 改性的光纤隔离同步控制的10kVIGBT固态脉冲调了保持剂量问题，受到学者们的广泛重视，在国内外获 制器。试验结果表明：技术性能优良，输出电压幅值可 得了迅速的发展。全方位离子注入在国外被称为等离 在1～10 kV范围内调节，脉冲宽度可在2～100_us范 Hz～8．5kHz范围内变 围内改变，重复频率可在10 化；在纯阻性负载时，注入电压波形的上升时间和下降 是高压脉冲调制器，它的性能好坏直接影响到离子注 时间分别为350 入过程。 as和1．64扯s；在等离子体负载时，由 于电缆电容和下拉电阻较大，上升时间增加到2灶s，下 一个技术性能优良的脉冲调制器的造价一般都非 降时间增加到30肚S；如果减小电缆电容和下拉电阻， 常昂贵，往往影响到整套设备的投资。因而，研制一台 上升时间可以进一步减小，下降时间可以减小到15 技术性能优良、造价较低的高压脉冲调制器，是全方位 “S。 离子注入能得到大规模工业应用的前提。我们所说的 关键词：材料表面改性 等离子体浸泡式离子注 技术性能优良的高压脉冲调制器一般是指：它的技术 入 固态开关脉冲调制器 指标必须满足保形性理论的需要、离子注入与沉积的 Anew im— 需要，但是直到现在，所运行的高压脉冲调制器不是价 [ABSTRACT]technique—plasma mersionion inthesurface格非常昂贵，就是技术性能低下，不能满足全方位离子 implantation(PIII)used modificationofmaterialsandits 注入工业应用的要求。 key equipment--high modulatoraredescribedinthis voltagepulse paper．An fiber．．controlled10kVIGBTsolid．．state 全方位离子注入过程中，鞘层厚度越厚，工件与其周围 optical pulse modulatoris re— 的鞘层形状相似性越差，这就使得工件表面注入剂量 successfullydeveloped．Experimental suitsshowthatitstechnical areexcellent，均匀性变差；鞘层厚度越小，工件与其周围的鞘层形状 properties canbe from1 kVto10kV． 相似性越好，这就使得工件表面注入剂量均匀性变好。 outputvoltage changed durationcanbe from to