30um+BiCMOS数模电路工艺开发.pdfVIP

3．0um BiCMOS数模电路工艺开发 肖志强陆锋郑若成 (无锡微电子科研中心214035) 摘要本文介绍了在无锡微电子科研中心二室工艺线上开发的3．0umBiCMOS数模电路工 艺所考虑的主要因素，以及该工艺流程所用的器件结构、PCM参数，介绍了开发的 各个阶段情况，以及为开发此工艺在工艺模拟方面所做的工作． 关键字BiCMOS工艺模拟工艺开发 1概述 电子单相交流电度表的专用集成电路，具有精度高、功耗小、寿命长、可靠性好、适应 环境能力强、原材料消耗低等一系列优点，它是目前广泛使用的感应式电度表的升级替代产 Bi．CMOS硅栅DPSM工艺，为此我们开发了该工艺。 品，它采用3．0um Bi 3．0umCMOS数模电路工艺开发过程共分4个阶段，第一阶段：技术准备、单项工艺 开发；第二阶段：拉通工艺、PCM参数调整；第三阶段：电路性能参数调整；第四阶段：解 决电路跳变问题，流出一定量的合格圆片。 2工艺简介 (1)工艺流程 ohm．cm…．阱氧化…．P阱光刻…．P阱注入P阱腐蚀…． 材料N1002．5．3．5 P阱推阱…．漂Si02～．有源区氧化…．有源区SiN-…有源区光刻腐蚀…．N管场区光 预栅氧…· 刻注入…．P管场区光刻注入～．退火、场氧化一-去SiN…一漂Si02…． PNP基区光刻注入…．推基区～．漂Si02…．栅氧2…．沟调注入…．淀积多晶l …． 多晶1掺杂…．多晶1光刻腐蚀～． 漂Si02～．多晶氧化…-淀积多晶2 …- …． 多晶2掺杂～． 多晶2光刻腐蚀 ～．干法腐蚀Si02…-SPACER氧化 BPSG致密…．孔光刻腐蚀…．孔 N+SD光刻注入…．P+SD光刻注入…．PMD…． 回流…一金属淀积 …．金属光刻腐蚀…．钝化淀积…． 钝化光刻腐蚀…一合 金 (2)工艺难点 ·高场开启电压Vfield(20V)： 由于电路工作在较高的电源电压下(到达±6．5v)，因此为防止可能场管开启，场开启电压 必须到达20V，为实现高的场开启电压，我们折中考虑场氧厚度和场注两方面，场氧我们采用 在3urn工艺中10000A的场氧厚度，这主要考虑台阶覆盖和鸟嘴；场注方面需要考虑到过高 的场注剂量将会使源漏对衬底的电容升高，同时会造成源漏对衬底的结击穿电压的下降，另 外，若场注杂质离子过于集中在衬底表面，则场氧过程就会造成过多的杂质离子的损耗，这 样对提高场开启将没有帮助，’场氧热过程中，场注杂质离子将会扩散到正常管子的沟道区， 对MOS管的开启电压会产生影响。 ·高穿通电压BVdss(20V)： 同上原因，由于较高的工作电压，源漏正常工作时的电压达到13V，因此，源漏的穿通电 压必须大于20V。为获得高的源漏穿通电压，我们必须了解MOS管的两个穿通区域及形成， 一是在沟道表面区，这里的穿通电压与源漏区及阱浓度有关，这部分穿通电流不会受栅压的 控制，因此必须保证这部分电流要小，另外，沟调注入后，漏端PN结将会沿Si体内较深处 形成较宽的耗尽层，经曲线方向穿通至源区形成穿通，因此必须综合考虑阱杂质浓度分布、 源漏结深、沟调注入。 ·PNP，NPN管参数的精确控制： PNP，NPN参数主要为放大倍数beta的控制，放大倍数在本工艺开发中是一个重点考察 参数，由上面三极管的结构可知，三极管的形成利用的阱、衬底、和注入形成的基区、源漏 形成的发射区。基区宽度和基区杂质浓度将会对双极型器件的放大倍数产生影响，所以衬底 材料、阱制作、源漏制作、基区注入和推结过程必须精确控制。 3工艺模拟 (1)工艺模拟