AIN缓冲层厚度对SiC上外延GaN薄膜晶体质量的影响.pdfVIP

第六届中国国际半导体照明论坛 6th ForumonSoIidState ChjnaInternatiOnaI Ljghting 朱学亮1，吴德华1，曲爽1一，李树强1，徐现刚1，2 1山东华光光电子有限公司，济南，250101 2山东大学晶体材料国家重点实验室，济南，250101 摘要 翻甬№OC～D在国产＆c衬窿上钤延高囊量的 S20、S30。材料生长完后，我们采用原子力显微 GaN薄膜。随着NN缓冲层醇度的增加．GaN或 镜和高分辨X射线分析GaN材料的表面和结构；采 核岛的尺寸减，j、：当AlN缓冲层是20nm时，GaN 用室温PL谱分析了材料的光学性质。 的表面啜予台吩平行良最好。基此时GaN的黄光 带发射较弱。 结果与讨论 异质外延的微结构可采用马赛克模型来描述， 引言 如图1所示【5】。薄膜层由许多小晶粒组成，称为马 近年来，基于GaN基材料的蓝光LED技术取得 赛克颗粒，他们沿衬底表面方向和法线方向各有一 了巨大的进步，用蓝光LED激发黄光荧光粉来制作 个平均尺寸，称为横向关联长度Lp和垂直关联长度 白光LED更是当前半导体照明的主流技术。在半导 Lv。通常认为薄膜的厚度即是垂直关联长度，而横 体照明中，功率型蓝光LED是基础。由于缺乏合适 向关联长度可由对称x射线扫描得到。通常的方法 的衬底，一般蓝光LED都是异质外延在蓝宝石衬底 上。因为蓝宝石衬底的热导率较差(0．5W，cmK)，功 率LED在大电流下产生大量热量不能耗散，这不但 sine，入为横坐标，B。sin o，入为纵坐标作图，其 导致LED热稳定性变差，更会引起LED发光效率降 中B为三轴晶测得的半宽。公式(1)给出了具体的计 低。采用倒装：芯片(F1．p—Chjp)技术把LED管芯放在热 算方法【6】。从WⅢiamson．Ha¨图的截距可得出马赛 沉上可以提高散热效果【1】，但最根本的方法是采用 克的横向尺寸大小，其大小为1，2yo，yo是 熟导率更好的衬底。SiC衬底正好满足了这个要求， W…iamson—Ha¨图的纵坐标截距。 它具有高的热导率(4．9W，cmK)，约是蓝宝石的十倍。 I如曙l∞n创嘲’∞ l埘t ltwl蛳 另一方面，SiC和GaN的晶格失配更小，在SiC衬底 ．’婴小《l ■●_-_‘● l l 上更容易获得高质量的LED结构【2，3】。但由于SiC衬 底价格昂贵，其生长技术一直被国外少数几个公司 l l l 控制，国内还没有商业化的Sic，GaN基LED。 subsI：嘣te _’—。、—…飞 在蓝宝石上外延