AlGaNGaN+HEMT器件高温退化机理研究.pdfVIP

2005’全国微波毫米波会议论文集 AIGaN／GaN HEMT器件高温退化机理研究 The mechanismof degradation HEMTat temperature high 姚小江刘新宇刘键魏珂李诚瞻刘丹刘果果陈小娟和致经 中国科学院微电子研究所 (北京 100029) HEMT器件在不同的环境温度下直流特性的变化以 【摘要】通过观察A1GaN／GaN HEMT器件的 及器件置于一段时间高温环境后冷却至室温直流特性的变化得出AIGaN／GaN HEMT器件的直流特性随温度升高 直流特性随温度的变化趋势，并进一步讨论A1GaN／GaN 而退化的机理。 关键词：AIGaN／GaNHEMT器件，高温，直流特性退化 材料结构的A1GaN／GaNHEMT器件在不同 1．引言 环境温度的直流特性，得出器件的直流特性 随温度的变化趋势。总结出器件在高温环境 下直流特性的退化规律并且提出器件直流 III—V族氮化物是最近兴起的宽禁带半特性在高温环境下的退化机理。 导体材料，它被誉为第三带半导体材料。GaN 2．器件制备 是新一代的宽禁带半导体材料，氮化镓晶体 管可耐受极度高温，它具有和GaAs几乎相 20nm i．AlGaN 近的微波特性，但功率特性远远高于硅、砷 n—AlGaN10nm 化镓、碳化硅、以及迄今为止所制造的所有 半导体器件。此类器件的频率和功率处理能 GaN3urn 力对于为技术领域带来革命的高级通信网 路中的放大器、调制器和其它关键器件非常 Sapphire 重要。氮化镓(GaN)器件及电路已成为目 前国际上研究的热点。 (a)帽层未掺杂的A1GaN／GaN结构 目前已经制备出在4GHz下连续波测试 20nm 高掺杂A1GaN HEMT 输出功率达到32．2W／mm的A]GaN／GaN 器件…。但是在A1GaN／GaNHEMT高温可靠 n．AlGaN10nm 性方面比较少有文献报道，在国内至今为止 GaN 仍未见报道。国外有一些文献指出器件在高 3um 温下源漏饱和电流的减小和最大跨导的减 小的主要原因是由于在高温下散射增大以 Sapp