氮化铝基板制备解读.ppt

氮化铝陶瓷的应用 用于MCM的氮化铝陶瓷基板 功率放大器所用氮化铝陶瓷封装 氮化铝蝶形封装 激光极管的载体和组装结构 激光二级管载体之结构 氮化铝LED封装 用于高温SiC器件的氮化铝封装 THE END 长期以来，绝大多数大功率混合集成电路的基板材料一直沿用Al2O3和BeO陶瓷，但Al2O3基板的热导率低，热膨胀系数和Si不太匹配； BeO虽然具有优异的综合性能，但其较高的生产成本和剧毒的缺点限制了它的应用推广。因此从性能、成本和环保等因素考虑，二者已不能满足现代电子功率器件和发展的需要。 氮化铝陶瓷具备优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有着广泛的应用前景，尤其是其具有高热导率、低介电常数、低介电损耗、优良的电绝缘性，与硅相匹配的热膨胀系数及无毒性等优点，使其成为高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料。 氮化铝陶瓷性能 表1 4种陶瓷封装材料的性能对比 AlN的典型性能 AlN晶体的晶格常数为a=0.311nm，c=0.498nm，是六方晶系纤锌矿型共价键化合物，其结构如图1所示。AlN晶体呈现白色或灰色，常压下分解温度为2200~2450℃，理论密度为3.26g/cm3。AlN具有优良的综合性能，主要性能见表2 图1 AlN的晶体结构图 氮化铝的物理化学性质 表2 AlN的主要性能 AlN导热机理 在氮化铝—系列重要性质中，最为显著的是高热导率。其主要机理为：通过点阵或晶格震动，即借助晶格波或热波进行热传递。AlN陶瓷为绝缘陶瓷材料，对于绝缘陶瓷材料，热能以原子震动方式传递，属于声子导热，声子在它的导热过程中扮演着重要角色。氮化铝热导率理论上可达320w/（m·k），但由于氮化铝中有杂质和缺陷，导致氮化铝产品的热导率远达不到理论值。氮化铝粉末中杂质元素主要为氧、碳，另外还有少量的金属离子杂质，在晶格中产生各种缺陷形式，这些缺陷对声子的散射会降低热导率。 氮化铝陶瓷的基础研究 从式中可以看出，对于给定体系，声子平均自由程（l）是影响热导率的关键因素，声子的平均自由程越长，热导率越高。在热传输过程中，晶体中的缺陷、晶界、空洞、电子以及声子自身都会产生声子散射，从而降低声子的平均自由程，进一步影响热导率。 声子散色对热导率λ的影响关系式为： AlN热导率与温度的关系 在声子—缺陷的散射中，起主要作用的是杂质氧和Al2O3. 由于AlN易于水解和氧化，表面形成一层Al2O3， Al2O3溶入AlN晶格中产生铝空位。 Al2O3→2AlAl+3ON+VAl 此外，AlN与氧的亲和力很强，氧很容易进入氮化铝晶格中，晶格中的氧具有高置换可溶性，容易形成氧缺陷。 AlN晶格中的缺陷与氧的浓度关系： 当【O】0.75% O均匀分布于AlN晶格中，占据着AlN中N的位置，并伴有Al空位。 当【O】≥0.75% Al原子位置发生改变，同时消灭Al空位，并形成一个八面体缺陷。 在更高浓度下，将形成延展缺陷，如含氧层错、反演畴，多形体等。 氧杂质的存在严重影响AlN的导热性，氧缺陷的存在增大了声子的散射面积截面，降低AlN的热导率。 因此，氧杂质的存在严重影响AlN的热导率，是热导率降低的主要因素 氮化铝陶瓷的基础研究 氮化铝水解 氮化铝与水有着很高的反应活性，与水发生反应生成Al(OH)3，反应机理如下： 向氮化铝中加入有机羧酸，有机羧酸包裹在氮化铝颗粒表面，阻碍了水分子向氮化铝粉体表面侵蚀，提高氮化铝的抗水解能力。 AlN陶瓷基板材料的制备 基板制备工艺的过程 陶瓷基板的成型主要有压膜、干压和流延成型3种方法。其中以流延成型生产效率最高，且易于实现生产的连续化和自动化，改善产品质量，降低成本，实现大批量生产，生产的基板厚度可以薄至10μm一下，厚至1mm以上。流延成型是AlN陶瓷基板向实用化转化的重要一步，有着重要的应用前景。 流延成型示意图 AlN粉体的合成 AlN粉体的合成