GaZnO+LED透明电极的ⅠⅤ特性和界面性质的研究.pdfVIP

＆hChm日】nkrnatlona|For…nS01H Sb№L’口ht…g Ga：znO LED透明电极的I-V特性和界面性质的研究 刘祯，王晓峰，杨华，曾一平 中国科学院半导体研究所，北京市海淀区清华东路甲35号，邮编100083 摘要 实验 莉用自翩的MvPE设备在GaN基LED}苹长 本文所使用的GaN基LED外延片．是采用金属 78um厚Ga：znotGzo)静延辞膜代替|To作 为LED＆雏t晌屯投。EL渤试表明GzO作电拯对 蓝宝石村底上的．有源区足lnGaN『GaN量子阱结构 LED的发光强礁高flTo作电捩的情况，研究7样 有源区}是p—GaN，掺杂浓度在～10”cm‘3量级。 品的|Iv特性，并通过xPs缸试研究7ezo舡G8N Gz0的生长条件是：在790℃下，分别采用金 异质结的界面特性。 属锌、金属Ga以及去离子水作为反应的zn源、Ga 源和0源，N2和H2的混合气作载气，在}GaN上外 引言 延生长GzO薄膜。反应在常压下进行，基本反应原 37 室温下zn0的禁带宽度约为3ev．对应被长 约为368 nm的紫外光，因此，对于可见光，zn0几 下共生长了10mln．生长结束后，测量GzO的厚度 乎是透明的。此外，znO还具有热稳定性好，折射 为8um。 率较低(约为19—21)，且Zn资源丰富等优点， 生长结束后，在扫描电镜(SEM)下．GzO 使得近年来，ZnO成为取代IT0作LED透明导电层 的表面形貌如图1所示。可以看到，GzO表面存在 的热门材料‘“。Zn0由于本身存在大量的本征点缺 六角形的缺陷．密度大约在105cm。量纽。 陷，如氧空位(Vo)、锌间隙(znl)，所以，一 般牛长的非故意掺杂的zn0，无论是单晶还是外延 薄膜，都表现为n型导电性，载流子浓度在10”一 1017cm 3量级．电阻率约为1—1010cmⅢl，远远 大于lTO的电阻率(～1040cm)【5q，因此ZnO作 为LED的透明电极，还需要通过掺杂来获得低的电 阻率。 削、ln、Ga是ZnO中常见的n型掺杂剂，这些 杂质在掺入znO后，能够有效的降低znO的电阻率 “1，同时透光性几乎没有变化。尤其是金属Ga，被 图 认为是最好的n型掺杂材料，固为Ga¨的离子半径 与zn”的离子半径接近，且不易与O原子发生反应， 性质稳定…。目前，生长掺Ga的znO(Gz0)外延 在生长了GZO的LED外延片E，沉积一层s102 薄膜方法有很多种，如金属有机气相外延法 (M0vPE)M、磁控溅射【Ⅷ、脉冲激光熔蒸…口等． 元，然后一侧部分刻蚀到n-GaN，蒸发金属Ti舱u 但这些方法生长的Gz0的厚度一般只有几十到几 到n·GaN作p型电极，金属Tl圳到Gz0作n型电栏。 百个纳米，电阻率最低可达1040cm量级。本文粟