劲园文化台科大图书95-195-1-2微电子学-松山工农教务处.doc

臺北市立松山高級工農職業學校95學年度第1學期第2次期中考試卷 科目 微電子學 使用 班級 子三智 班 級 座 號 姓 名 不得使用計算機或手機。 ◎ 選擇題，共0題，每題2分( ) 1.下列對電晶體工作在飽和區時之敘述，何者正確？ (A) 基極與射極接面逆偏，基極與集極接面逆偏 (B) 基極與射極接面順偏，基極與集極接面逆偏 (C) 基極與射極接面逆偏，基極與集極接面順偏 (D) 基極與射極接面順偏，基極與集極接面順偏 ( ) 2. 通常當一電晶體開關進入飽和區時，其集極、射極間的電壓（VCE）大約為多少伏特？(A) 1.2V (B) 5V (C) 0.2V (D) 3V ( ) 3. 下列有關電晶體之描述何者錯誤？ (A) BJT之構造是對稱的，因此射極與集極可對調使用 (B) FET優點之一為其（低頻）輸入阻抗甚高 (C) 若BJT的基極與射極之接面為順向偏壓，基極與集極之接面亦為順向偏壓，則該BJT工作在飽和區 (D) 為使BJT具有線性放大作用，必需偏壓在作用區（active region） ( ) 4. 一般大型BJT功率電晶體包裝外殼為電晶體的那一極？(A)射極 (B)基極 (C)集極 (D)沒有通用的規範 ( ) 5. 電晶體當作線性增量放大時主要是工作在 (A) 工作區 (B) 截止區 (C) 飽和區 (D) 反向模式 ( ) 6. 與雙極性接面電晶體相比，下列何者不是場效應電晶體（FET）的主要優點？ (A) 輸入阻抗極高 (B) 不易受輻射的影響 (C) 操作速度比較快 (D) 熱穩定度較佳 ( ) 7. 下列敘述何者不正確？ (A) BJT電晶體為雙極性（bipolar）電晶體 (B) MOS?FET電晶體為單極性（unipolar）電晶體 (C) 一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小 (D) MOSFET電晶體為一種電流控制元件 ( ) 8. 某一接面型場效應電晶體（JFET）有8mA的IDSS和(4V的VP，已知汲極電流為2mA，則其VGS等於 (A) 2V (B) 1V (C) (1V (D) (2V ( ) 9. 接面場效電晶體（JFET）之工作原理是控制 (A) 通道中載子的濃度 (B) 通道之導電係數 (C) 通道接面的電流 (D) 接面空乏區的厚度 ( )10.下列何者為N通道接面場效電晶體（JFET）電路符號？ (A) (B) (C) (D) ( )11.兼具電流放大與電壓放大作用的雙極性電晶體放大器為 (A) 共基極組態 (B) 共射極組態 (C) 共集極組態 (D) 射極隨耦器 ( )12.關於共集極交流信號放大電路之敘述，下列何者錯誤？ (A) 信號由基極輸入 (B) 輸出信號為射極電壓之變動量（即交流部分） (C) 常被稱為射極隨耦器 (D) 輸入阻抗高於輸出阻抗 ( )13.在一共射極式電晶體電路中，射極電流為5mA，基極電流為0.1mA，試求電晶體之電流增益為何？ (A) 39 (B) 59 (C) 69 (D) 49 ( )14.若一電晶體的基極電流由50μA增至60μA，而對應的集極電流由1mA增至1.5mA，則此一電晶體之小信號電流增益 ( 約為 (A) 20 (B) 30 (C) 40 (D) 50 ( )15.共射極組態電晶體電路之( 有0.03的變動量（範圍為0.96～0.99），則( 的變動量為(A)33.3(B)25(C)50(D)75 ( )16.圖 所示電晶體電路，其電晶體直流工作點VCE約為(A)3V (B)5V (C)7V (D)9V ( )17.如圖 所示之電路，假設電晶體之參數VBE ＝＝＝＝＝ (A) 180 (B) 120 (C) 90 (D) 60 kΩ ( )18.參考、，RB應為多少才能滿足Q點之條件？ (A) 430kΩ (B) 43kΩ (C) 500kΩ (D) 50kΩ ( )19.如圖 所示分壓式偏壓電路，矽電晶體 ( ＝VBB，及戴維寧等效電阻RBB其值分別為 (A) VBB ＝V，RBB ＝ (B) VBB ＝V，RBB ＝ (C) VBB ＝V，RBB ＝ (D) VBB ＝V，RBB ＝( )20.如圖 所示為恆流源電路，其中汲極飽和電流IDSS ＝ ＝ ＝ (A) 5V (B) 6V (C) 7V (D) 8V ( )21.如圖 所示電路，場效電晶體之IDSS ＝＝? (A) 1.11毫安 (B) 10.0毫安 (C) 20.0毫安 (D) 27.77毫安 ( )22.如圖 所示電路，FET的IDSS ＝ ＝?? ＝? (A