第五章 存储器概论.ppt

主存与最小模式8086 CPU的连接 * 注意高位库与低位库的连接方法，采用位数扩展方法将两片字节型的存储芯片扩展为字存储器。由不同译码器产生高、低位库的片选信号，用以区分奇数字节与偶数字节的操作。 注意片内地址总线的连接只从A1开始考虑，A0实际上已由CPU内部译码为BHE 与A0，由不同引脚输出，用于选择高位库与低位库。 * 例：8086 CPU组成的最小模式系统需要16?K字的ROM，其地址范围为08000H～0FFFFH，需要16?K字的RAM，其地址范围为70000H～77FFFH，ROM选用芯片2764，RAM选用芯片6264，画出系统连接图。 解题分析： ①2764与6264的容量都是8?K×8，需要片内地址线＝log2(8?K)＝log2(213)＝13条(A12～A0)； ②16K字等同与32K字节，因此，2764需要四片，6264需要四片； * 8086地址总线宽度为20位，A13～A1位用于芯片内部存储单元选择译码（8K字单元选择），直接与存储芯片连接； 用于片选的地址线共有6条（A19～A14）,同时还需考虑高、低位库的选择，设计译码控制逻辑的依据就是物理地址二进制编码（其实质即是将相应二进制编码转换为逻辑电路）。 分析地址范围的二进制编码，设计译码控制逻辑。 每两片2764组成8K字的存储器，按设计要求占用地址空间及其编码 0 ～ 0 1 ～ 1 地址空间 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13～ A0 0F8000H～0FBFFFH 1 1 1 1 1 0 0 ～ 0 1 ～ 1 0FC000H～0FFFFFH 1 1 1 1 1 1 A0=0时选择低位库 A0=1( =0)时选择高位库 * M/IO A19 A18 A17 A16 A15 A14 1 ≥1 ≥1 ≥1 ≥1 A0 A0 BHE BHE 选择0F8000H～0FBFFFH低位库 选择0F8000H～0FBFFFH高位库 选择0FC000H～0FFFFFH低位库 选择0FC000H～0FFFFFH高位库 地址总线/数据总线及读/写控制线的连接 （2）RAM子系统译码电路 0 ～ 0 1 ～ 1 地址空间 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13～ A0 00000H～03FFFH 0 0 0 0 0 0 0 ～ 0 1 ～ 1 04000H～07FFFH 0 0 0 0 0 1 A0=0时选择低位库 A0=1( =0)时选 择高位库 译码电 路设计 依据 * A19 A18 A17 A16 A15 ≥1 A14 ≥1 1 ≥1 ≥1 ≥1 ≥1 ≥1 A0 A0 BHE BHE 选择00000H～03FFFH低位库 选择0F8000H～0FBFFFH高位库 选择04000H～07FFFH低位库 选择04000H～07FFFH高位库 1 M/IO 地址总线/数据总线及读/写控制线的连接 作业 若要用1K×4位的RAM芯片来扩充1KRAM，其扩充地址为8000H～83FFH，地址线应如何连接？ 一个存储器系统包括2K RAM和8K ROM，分别用1K×4的2114芯片和2K×8的2716芯片组成。要求ROM的地址从1000H开始，RAM的地址从3000H开始。完成硬件连线及相应的地址分配表。 * * 半导体存储器因其存取速度快、集成度高、功耗小、价格低常用作内存。 按功能分，半导体存储器分为两大类：随机存取存储器和只读存储器。 * * 1.读方式 是2764正常的工作方式。首先把要读出的存储单元地址送到A0~A12地址线上，然后使CE=0、OE=0，就可在芯片的D0~D7上读出需要的数据。 2.维持方式 有效功耗从100mA降到40mA。 3.编程 在原始状态或每次擦除之后，2764所有各位均处于“1”状态，编程就是将数据按程序有选择地把“0”态置入相应的各位。 编程状态，PGM=0，VPP=+21V（误差正负一伏），OE=1，CE=0，被编程的8位数据并行输入到2764的数据输入端。编程负脉冲PGM的最大脉宽为50 + 5ms。 2764有两种编程方式：标准编程和灵巧编程。 标准编程 VCC=+5V，VPP=+21V，在地址线A0~A12上给出要编程存储单元的地址信号，然后