第1章半导体器件.doc.doc

常用半导体器件 我们知道， 1.1.1半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同划分导体、绝缘体和半导体。 导体容易导电的物体如铁、铜等 绝缘体几乎不导电的物体如橡胶等半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体在一定条件下可导电半导体的电阻率为10-3～109 Ωcm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体特点：1) 在外界能源的作用下，导电性能显著变化。光敏元件、热敏元件属于此类。2) 在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显著增加。二极管、三极管属于此类。纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。因此，在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，掺入的杂质主要是三价或五价元素。这种掺入杂质半导体被称为杂质半导体。杂质半导体N型半导体P型半导体N型半导体在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。2)P型半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴多数载流子。PN结我们通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，于是这两种半导体的交界处就形成了PN结，它是构成其它半导体的基础P型半导体N型半导体，由于两侧的半导体的电子和空穴的浓度相差很大，因此它们会产生扩散运动：电子从N区向P区扩散；空穴从P去向N区扩散。因为它们都是带电粒子，它们向另一侧扩散的同时在N区留下了带正电的空穴，在P区留下了带负电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区，也就是形成了电场空间电荷区PN结.它们的形成过程如图1-3所示 图1-3 多数载流子的扩散运动 在电场的作用下，载流子将作漂移运动，它的运动方向与扩散运动的方向相反，阻止扩散运动。电场的强弱与扩散的程度有关，扩散的越多，电场越强，同时对扩散运动的阻力也越大，当扩散运动与漂移运动相等时，通过界面的载流子为。此时，PN结的交界区就形成一个缺少载流子的高阻区，我们又把它称为阻挡层或耗尽层。PN结具有单向导电性,这是半导体二极管的一个重要特性,但其只有在外加电压时才显示出来。我们在PN结两端加不同方向的电压，可以破坏它原来的平衡，从而使它呈现出单向导电性。PN结外加正向电压PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极，N区接电源的负极。这时外加电压形成电场的方向与自建场的方向相反，从而使阻挡层变窄，扩散作用大于漂移作用，多数载流子向对方区域扩散形成正向电流，方向是从P区指向N区。如图1所示 图1-4 PN结这时的PN结处于导通状态，它所呈现的电阻为正向电阻，正向电压越大，电流也越大。它的关系是指数关系 -1) (1-1) 其中：ID为流过PN结的电流 U---为PN结两端的电压 UT=kT/q称为温度电压当量 其中k--为波尔兹曼常数 T为绝对温度，在室温下（300K）时UT=26mv q为电子电量，IS----为反向饱和电流。PN结外加反向电压它的接法与正向相反，即P区接电源的负极，N区接电源的正极。此时的外加电压形成电场的方向与自建场的方向相同，从而使阻挡层变宽，漂移作用大于扩散作用，少数载流子在电场的作用下，形成漂移电流，它的方向与正向电压的方向相反，所以又称为反向电流。因反向电流是少数载流子形成，故反向电流