InGaN光伏器件的特征与设计.pdfVIP

化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ·237． InGaN光伏器件的特征与设计 董少光1’2范广涵1 ． 1华南师范大学光电子材料与技术研究所广东广州 510631 ．2佛山科学技术学院物理系广东佛山528000 【摘要】 研究表明：InGaN材料系能作为获得高效率太阳能电池的材料，用串联和量子 阱结构可以实现高转换效率问题。设计InGaN的p-i-n和量子阱太阳能电池，用 MOCVD生长并制作成台面式器件。高In组分的InGaN太阳能电池由两个结构 构成：一个是把高In组分的InGaN并入p—i—n太阳能电池的i区，另_．个是把 件结构的太阳能电池显示了19％的内部量子效率和在500am处的光发射，证实 了该材料在光伏应用中具有稳定性。 【关键词】．太阳能电池InGaN量子阱．带隙 Cha}acterizatib矗andofInGaNPhotovoltaicDevices Design DONG FAN Shaoguan91，2Guanghanl l Institute Materialsand ChinaNormal ofOptoelectronicTechnology，South Science 2PhysicsDepartment，FoshanandTechnology 1高效率太阳能电池材料InGaN的特征 InGaN材料系为研制超高效率的太阳能电池提供了切实可行的潜力。In带隙的测量值为 续带隙的材料。InGaN对高错位密度很不敏感，该材料有利的因素包括电子空穴对的低有效 质量，高迁移率、、高峰饱和速率、高吸收系数和辐射持续口J。 方法生长的高In含量的是低带隙材料。判断这两种材料的潜力和在光伏器件应用上有几个关 键的问题，主要涉及到收集效率和复合率，它们都对少子的寿命有决定性的影响。有关模型 显示InN合金的辐射寿命与GaN的寿命相似或更长口J。 量来获得P型导电，但是由于受子的深激发能，也只有不到1018cm．3的空穴浓度。而InGaN 有大约1019 ·238· 中国太阳能光伏进展 报道还没有，表明获得P型InGaN可能具有一定的挑战性。 ⅡI·N化合物的特征是强极化效应和压电效应。它们都是高极化分子，因此在材料间可形 成强双极，在两界面间的大部分区域产生电场。材料的压电效应是由于晶格失配的张力而产 生的。高压电系数改变了表面势能，在材料中产生电场。 2制作InGaN太阳能电池的基础理论 串联太阳能电池是由能带逐渐减少的子电池堆叠而成。顶层电池能有效吸收高能量的光 子，使能量低的光子能穿过它，理论上能量损失最小，。用这种方式无限堆积的电池选择吸收 000 最大的效率理论上可以达到86．8％。用4～8个在6K的光谱下计算出光学带隙制得的电 池串联平衡模型，总结如表1【41。 表1．6000 K的光谱下4—8个堆叠串联太阳能电池的带隙和效率 n 带隙(eV) 11％ 4 0．60,1．11。1．69，2．48 62．0 5 0．53，0．95，1．40，1．93，2．68 65．0 6 0．47，0．84，1．24。1．66，2．18，2．93 ’67．3 7 0．47，0．82，1．19。1．56，2．0，2．5，3．21 68．9 8