InP+HBT发射结微短路现象研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 ；InP HBT发射结微短路现象研究 于进勇 苏树兵刘新宇夏洋 申华军樊宇伟 (中国科学院微电子研究所 北京 100029) 摘 要：本文针对磷化铟基(InP)自对准异质结双极型晶体管(HBT)工艺过程中， 基极与发射极之间发生微短路造成HBT失效的各种现象进行分析，建立理论模型，分析微 短路产生这些现象的原因，并提出避免HBT发射结微短路的一些方法。 关键词：HBT，自对准技术 l引言 由于InPHBT有很好的热导性，低阈值电压以及优良的频率特性，在制作高频和微波 tlBT HBT能够引领THz时代的到来。在InP 功率器件等方面引人瞩目，人们甚至希望InP 的制作过程中，采用自对准技术可以减小发射结电容和本征基区电阻以及集电结电容等， 从而有效的提高HBT的频率特性n1，因此，自对准技术常被采用。但是，在工艺过程中， I—V曲线不正常，易击穿，这种 有时会出现基极金属与发射极体材料部分接触，造成HBT 现象与常见的金属短路不同，称为微短路(Semi—shotting)心J。本文通过对发射结微短路 现象进行系统的分析，建立了理论模型，解释微短路引起的各种现象的原因，并提出部分 避免微短路的方法。 2flBT发射结失效现象 单异质结InPHBT的制作工艺如下：首先，剥离技术形成发射极电极后，湿法选择性 um的侧向腐蚀，该 腐蚀发射极盖帽层InGaAs和发射极InP，发射极金属下形成大约0．2 过程是发射极自对准的关键步骤。蒸发、剥离基极金属后，湿法腐蚀基区和集电区，形成 基区台面。再光刻，腐蚀亚集电区到半绝缘衬底，蒸发集电极金属，剥离，HBT基本结构完 成。 实验用的[100]InP外延片由中国科学院上海微系统与信息技术研究所提供；发射极金 (H。PO。：HCl)腐蚀液进行腐蚀。 测试发现某些HBT的测试曲线出现异常。这种HBT虽然也能工作，但与正常的HBT相 比，其发射结开启电压和反向击穿电压均偏低，反向漏电也大(如图2)。由于自热效应憎J HBT的增益应该随着Vce的增大而逐渐降低。但是这 等因素，对于一定的基极电流I。，InP 种HBT，增益随着v。。的增加不断增大，(如图3所示)，造成厄利电压减小；HBT的稳定性 和可靠性都受到影响。 ㈣伸 InP 一一SemPshodingHST(1l —Semi-sP,ortin9InP HBT(2、 ㈣∞ 一一NOmlalHBT(3) l 2 ∞ 一 ㈣晒 ／多，，夕一 ／ ／／ 一o ～¨ VCE oo口IoJ HBT HBT发射结I_v曲线 图3微短路InPI-V曲线 图2微短路与正常InP ．．199．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 3理论分析 文献报道和实验表明，对于InP，沿[011]的腐蚀剖面为上宽下窄的倒梯形，沿[011] 的腐蚀剖面为正梯形乜3。因此在HBT的制作过程中，平行于[011-1方向的发射极边，由于腐 蚀剖面为正梯形(如图l所示)，蒸发(或溅射)基极金属时，基极金属易与发射极体材 料